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標簽 > 功率場效應管
功率場效應管一般指功率MOS場效應晶體管,功率MOS場效應晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),FET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應來控制半導體(S)的場效應晶體管。
功率MOS場效應晶體管的種類:按導電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道,增強型;對于N(P)溝道器件,柵極電壓大于(小于)零時才存在導電溝道,功率MOSFET主要是N溝道增強型。
功率場效應管是一種可控硅晶體管,它是一種由金屬氧化物半導體構成的三極管,具有較低的額定電壓、較大的漏電流和較慢的開關速度等特點。
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