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功率晶體管

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功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。

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功率晶體管技術(shù)

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢，在功率電子和微波射頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2018 0

基于BLW96的射頻放大器電路解析

BLW96是一款HF/VHF功率晶體管，適用于H.f.和v.h.f.頻段的A類、AB類和B類操作的高功率工業(yè)和軍用傳輸設(shè)備。

2023-07-23 標(biāo)簽：放大器電路射頻放大器功率晶體管 1135 0

電機控制算法電機控制算法有哪些 BLDC電機控制算法很難?

無刷電機屬于自換流型(自我方向轉(zhuǎn)換)，因此控制起來更加復(fù)雜。

2023-07-21 標(biāo)簽：電機控制霍爾傳感器無刷電機 674 0

在射頻電路中匹配與增益到底有什么關(guān)系？

匹配和增益是射頻電路中重要的設(shè)計考慮因素。首先我們要理解它們的定義。

2023-07-20 標(biāo)簽：電阻器低噪聲放大器射頻電路 1020 0

達林頓晶體管輸出特性仿真過程

硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，可改善大電流情況下的飽和壓降，降低其通態(tài)損耗。

2023-07-13 標(biāo)簽：晶閘管晶體管達林頓晶體管 437 0

詳解矢量負載牽引技術(shù)

負載牽引系統(tǒng)是改變射頻微波器件輸入源阻抗和輸出負載阻抗的阻抗?fàn)恳到y(tǒng)，它可以測量出射頻微波器件及功率芯片在不同源阻抗及負載阻抗下的各種工作參數(shù)，典型的被...

2023-07-09 標(biāo)簽：放大器阻抗功率晶體管 879 0

高頻小功率晶體管設(shè)計

產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。

2023-07-05 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 778 0

功率元件有哪些功率元件和信號元件區(qū)別

功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應(yīng)對較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男省＠纾β示w管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的...

2023-06-30 標(biāo)簽：二極管功率放大器功率晶體管 2354 0

常見的電機控制算法匯總整理

基于矢量的電機控制的一個固有優(yōu)勢是，可以采用同一原理，選擇適合的數(shù)學(xué)模型去分別控制各種類型的AC, PM-AC 或者 BLDC電機。

2023-06-26 標(biāo)簽：電機控制 emi 步進電機 1994 0

TIP32C的特性/引腳排列/應(yīng)用

TIP32C是一款采用JedecTO-220塑料封裝的硅外延基PNP功率晶體管。它適用于中等功率線性和開關(guān)應(yīng)用。互補的NPN類型是TIP31C。本文將系...

2023-06-14 標(biāo)簽：pnp 功率晶體管 5755 0

RX65T125HS1B功率晶體管的原理與應(yīng)用

引言: 在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時代，高效能的功率電子器件對于各個領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。潤新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進的產(chǎn)品，憑借...

2023-06-12 標(biāo)簽：功率晶體管 1518 0

未來智能城市的動力引擎：潤新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）

潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)...

2023-06-12 標(biāo)簽：FET 功率晶體管智能城市 1253 0

大功率晶體管溫度過高如何解決，芯片導(dǎo)熱硅脂可助其快速散熱

總之，芯片導(dǎo)熱硅脂是一種非常有效的散熱材料，它可以大大提高大功率晶體管的散熱效率，保證機器設(shè)備的正常運行和可靠性

2023-06-08 標(biāo)簽：芯片功率晶體管 1114 0

說說IGBT的開通過程

一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關(guān)器件，開通和關(guān)斷的過程

2023-05-25 標(biāo)簽：MOSFET IGBT NPN管 2875 0

基于兩個TDA2030的音頻放大器電路

通過連接兩個TDA2030廉價功率晶體管，我們可以創(chuàng)建一個可以提供更高功率的放大器。使用原理圖中的元件值，總放大器增益為32dB。如果我們使用TIP晶體...

2023-05-23 標(biāo)簽：TDA2030 音頻電路功率晶體管 2254 0

低壓差、微功率負穩(wěn)壓器——LT1175

LT1175 是一款微功率、低壓差負穩(wěn)壓器。它具有 45μA 靜態(tài)電流，并在停機模式中減小至 10μA。

2023-04-14 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器功率晶體管欠壓保護 1034 0

氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)

相比于目前常見的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率二極管功率器件功率晶體管 476 0

DC/DC評估篇損耗探討-損耗的簡單計算方法

上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。

2023-02-23 標(biāo)簽：損耗電源IC 功率晶體管 2632 0

增強型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管有什么區(qū)別？

場效應(yīng)管中，隨著Ugs的增加，在靠近二氧化硅絕緣體的P型襯底表面缺少多子，形成了耗盡層。

2023-02-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管 FET 3802 0

達林頓晶體管工作原理/特點功能/電路圖

達林頓晶體管，這是一種高增益的雙極型功率晶體管，其實質(zhì)是由兩只或更多晶體管復(fù)合組成的達林頓或超a對（darlington pair或Pmultip丨丨e...

2023-02-19 標(biāo)簽：晶體管達林頓晶體管高增益 7292 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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