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標(biāo)簽 > 功率晶體管

功率晶體管

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功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。

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2020-03-18 標(biāo)簽:功率模塊GaN功率晶體管 1593 0

IC Insights | 泡沫式增長后,功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高

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2019-05-17 標(biāo)簽:IC功率晶體管 3213 0

2018年功率晶體管銷售額再創(chuàng)新高 增長14%

根據(jù)2019年的報告,功率晶體管的銷售額增長率達(dá)到兩位數(shù),再創(chuàng)新高。

2019-05-17 標(biāo)簽:IGBT功率晶體管 4164 0

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2018-05-08 標(biāo)簽:恩智浦功率晶體管 1734 0

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恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關(guān)注...

2013-06-21 標(biāo)簽:恩智浦LDMOS功率晶體管 1712 0

英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013年度技術(shù)創(chuàng)新獎

4月11日下午, OFweek光電新聞網(wǎng) (以下簡稱OFweek)和OFweek電子工程網(wǎng)在深圳聯(lián)合主辦了2013電子行業(yè)年度評選活動,英飛凌科技公司(...

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電源管理廠商龍爭虎斗 德州儀器獨(dú)占鰲頭

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RF功率晶體管耐用性驗證方案

本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性,并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。

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ST推出LET系列射頻(RF)功率晶體管

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。

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高能效功率電子技術(shù)發(fā)展

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ST擴(kuò)大STripFET技術(shù)的高效功率晶體管系列

ST擴(kuò)大采用第六代STripFET?技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列,為設(shè)計人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。

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ST推出新一代高頻功率晶體管

ST推出新一代高頻功率晶體管。新產(chǎn)品可有效延長如醫(yī)用掃描儀和等離子發(fā)生器等大功率射頻設(shè)備的運(yùn)行時間,并可提高應(yīng)用性能及降低設(shè)備成本。

2011-05-24 標(biāo)簽:ST功率晶體管 1045 0

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