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標簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統對基站功率放大器和手機功率放大器的性能要求提高逐漸發展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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ST推出新一代高頻功率晶體管。新產品可有效延長如醫用掃描儀和等離子發生器等大功率射頻設備的運行時間,并可提高應用性能及降低設備成本。
英飛凌40V OptiMOSTM T2功率晶體管榮獲OFweek2013年度技術創新獎
4月11日下午, OFweek光電新聞網 (以下簡稱OFweek)和OFweek電子工程網在深圳聯合主辦了2013電子行業年度評選活動,英飛凌科技公司(...
ST擴大采用第六代STripFET?技術的高效功率晶體管的產品系列,為設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。
Wise-integration與益登科技針對GaN IC電源半導體產品的推廣展開渠道合作
益登科技與Wise-integration的策略合作將著重于利用Wise-integration的GaN功率晶體管和數字控制能力,并與益登科技在亞洲地區...
近日,國內一家車載充電器(OBC)企業與氮化鎵企業結盟,將共同開發11kW的氮化鎵OBC等產品。而該氮化鎵企業之前還與在車規GaN與寶馬、豐田及緯湃科技...
蔚來汽車與芯聯集成SiC模塊合作項目C樣下線,即將進入量產階段
“蔚來&芯聯集成合作伙伴大會暨蔚來自研SiC模塊C樣下線儀式”在芯聯集成紹興總部舉行,標志著該項目即將進入量產階段。
在高功率應用中通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管?
在電源與充電樁等高功率應用中,通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管? 電源與充電樁等高功率應用通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管,主要...
2023 年 9 月 6 日,中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器,新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺...
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體,屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優良材料,也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。
Transphorm的GaN首次達到對電機驅動應用至關重要的短路穩健性里程碑
Yaskawa企業技術部基礎研發管理部經理Motoshige Maeda表示:“如果功率半導體器件無法承受短路事件,系統本身可能失效。業界普遍認為GaN...
云計算、虛擬宇宙的大型數據中心以及新型智能手機等各種小型電子設備將繼續投資。SiC 和 GaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標準技術...
AMCOM的AM0321206LN-P1是款寬帶低噪聲放大器模塊。為通用型技術應用需求設計。AM0321206LN-P1的頻率范圍為300MHz至120...
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應晶體管是一種金屬氧化物硅場效應晶體管,工作電壓最高達到1kV(SiC:2kV),具有高開關速度和最佳效率。 這項創新技術在消費電...
應用指南導讀 | 優化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現代功率電子領域的新寵。然而,GaN器件的高速開關行為也對PCB布局設計提出了...
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