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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動(dòng)通信系統(tǒng)對(duì)基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來(lái)的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點(diǎn)。特別適合在集成電路中作功率器件。
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EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管,比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專(zhuān)為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員而設(shè)計(jì),在極小的芯片級(jí)封裝中,實(shí)現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流,...
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn)
三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路相比有哪些特點(diǎn) 三相半控橋式整流電路與三相全控整流電路是兩種常見(jiàn)的電力電子整流電路。它們?cè)谝恍┕I(yè)應(yīng)用中具有重要作...
EPC發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050
據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,Efficient Power Conversion(EPC,美國(guó)宜普電源轉(zhuǎn)換公司)發(fā)布了新款350V GaN功率晶體管EPC2050...
氮化鎵功率技術(shù)大熱,Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計(jì)上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)和成熟規(guī)模化的生產(chǎn)能力,近年來(lái)在功率器件市場(chǎng)大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢(shì)論...
2018年功率晶體管銷(xiāo)售額再創(chuàng)新高 增長(zhǎng)14%
根據(jù)2019年的報(bào)告,功率晶體管的銷(xiāo)售額增長(zhǎng)率達(dá)到兩位數(shù),再創(chuàng)新高。
丹東華奧電子有限公司成立于2001年,專(zhuān)業(yè)從事汽車(chē)/摩托車(chē)電子電器配套用集成電路和晶體管開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、推廣應(yīng)用和服務(wù)。 產(chǎn)品出口國(guó)際市場(chǎng)。 公司為汽...
IC Insights | 泡沫式增長(zhǎng)后,功率晶體管銷(xiāo)售額再創(chuàng)新高
根據(jù)IC Insights的2019年OSD報(bào)告顯示,2018年功率晶體管的銷(xiāo)售額增長(zhǎng)率達(dá)到兩位數(shù)(14%),總額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的163億美元。
Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT
Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體...
在高頻(3-30MHz)到250MHz頻率范圍內(nèi),性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波(CW)輸出功率,而且只采用一個(gè)陶瓷封裝,因此減少...
2021-08-13 標(biāo)簽:射頻意法半導(dǎo)體功率晶體管 3106 0
電子負(fù)載和電阻負(fù)載區(qū)別 電子負(fù)載和電阻負(fù)載是電子學(xué)中常見(jiàn)的兩種負(fù)載,它們?cè)跍y(cè)試電路、進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和模擬分析等方面起到重要的作用。雖然它們都是用來(lái)模擬負(fù)載...
GaN Systems其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
大電流恒流源電路 大電流恒流源電路是一種電子電路,可以將輸入電壓轉(zhuǎn)換為恒定的輸出電流。這種電路通常用于需要提供恒定電流的應(yīng)用,例如LED驅(qū)動(dòng)器和高功率電...
2023-08-27 標(biāo)簽:比較器led驅(qū)動(dòng)器恒流源 2683 0
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布無(wú)引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無(wú)引腳DFN封...
ldo內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理? LDO是線性穩(wěn)壓電源的一種類(lèi)型,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理是非常重要的電子工程學(xué)習(xí)內(nèi)容。在本文中,我們將深入了解LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和...
UnitedSiC的FET-Jet計(jì)算器讓SiC FET選擇過(guò)程不再充滿猜測(cè)
為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。
意法半導(dǎo)體針對(duì)高能效功率變換應(yīng)用,推出新的45W和150W MasterGaN產(chǎn)品
為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝,分別面向高達(dá) 45W 和...
2021-08-30 標(biāo)簽:微控制器意法半導(dǎo)體功率晶體管 2044 0
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的?
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時(shí)候是不是都要負(fù)電壓的? GTO和IGBT是兩種常見(jiàn)的電力電子元件,它們?cè)陉P(guān)斷過(guò)程中確實(shí)需要負(fù)電壓。 首先,讓我們了...
最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測(cè)試及應(yīng)用類(lèi)型
眾所周知,像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此,將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限...
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
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