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功率芯片技術(shù)

汽車上芯片種類及安全需求和性能需求

隨著車輛的網(wǎng)聯(lián)化和智能化的逐步提升，汽車上芯片的數(shù)量越來越多。據(jù)網(wǎng)上統(tǒng)計，2021年每輛汽車的芯片需求已經(jīng)突破1000顆，一些高端新能源汽車的芯片需求甚...

2024-11-11 標(biāo)簽：芯片控制芯片功率芯片 1216 0

GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝

GaAs晶圓作為常用的一類晶圓，在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過程中需要關(guān)注的點。

2024-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 GaAs 493 0

遠山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...

2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 490 0

驅(qū)動功率芯片決定整車的什么性能?

驅(qū)動功率芯片是電動汽車的核心部件之一，它直接影響著整車的性能。一、引言隨著全球能源危機和環(huán)境污染問題的日益嚴(yán)重，電動汽車作為一種清潔、環(huán)保的交通工具...

2024-07-17 標(biāo)簽：電動汽車機械電子器件 711 0

功率芯片的原理和應(yīng)用

功率芯片是一種集成電路芯片，其核心功能在于控制和管理電能，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。以下將從功率芯片的原理和應(yīng)用兩個方面進行詳細闡述。

2024-07-16 標(biāo)簽：集成電路 IGBT 功率芯片 1577 0

深度解析車規(guī)級芯片產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

計算及控制芯片以微控制器和邏輯Ic為主，主要用于計算分析及決策;功率芯片主要對電能進行轉(zhuǎn)換，對電路進行控制;傳感器芯片主要負責(zé)感應(yīng)汽車運行工況，將非電學(xué)...

2024-04-28 標(biāo)簽：微控制器傳感器新能源汽車 719 0

功率芯片是什么？功率芯片有哪些？

近年來，我國已成為全球發(fā)電量第一的大國。電能一直是人類消耗的最大能源，是目前最為重要的一種能源形式之一。為滿足發(fā)電，輸電和用電的各種不同要求需求，幾乎所...

2023-12-13 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶體管 8081 0

支持高功率應(yīng)用的RDL技術(shù)解析

如之前的介紹用于 IC 封裝的再分布層(RDL)技術(shù)及晶圓級封裝中的窄間距RDL技術(shù)及應(yīng)用]技術(shù)通常用于芯片封裝中的信號和電源引腳映射，用于實現(xiàn)芯片與封...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC封裝芯片封裝 4183 1

如何實現(xiàn)高質(zhì)量功率芯片

IGBT 是應(yīng)用最廣泛的可控功率電子開關(guān)，一個200A 1200V的IGBT4芯片只有指甲大小。你能想象嗎？它可以每個周期快速關(guān)斷600安培的電流，電流...

2023-11-27 標(biāo)簽：英飛凌晶圓 IGBT 1052 0

車規(guī)級SiC MOSFET制造技術(shù)進展

隨著新能源汽車、光伏、充電樁等應(yīng)用對系統(tǒng)效率的不斷追求，SiC 功率半導(dǎo)體市場將迎來前所未有的增速。

2023-11-07 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 功率半導(dǎo)體 443 0

小米140W氮化鎵充電器拆解評測

PFC開關(guān)管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...

2023-10-31 標(biāo)簽：充電器 DC-DC 氮化鎵 1940 0

什么是Cu clip封裝？碳化硅功率模塊鍵合方式

功率芯片通過封裝實現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進行使用。芯片互連（interconn...

2023-10-24 標(biāo)簽：芯片功率器件碳化硅 3964 0

淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別

功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額...

2023-10-18 標(biāo)簽：微控制器芯片設(shè)計模擬芯片 2877 0

新型SIC功率芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計及制造技術(shù)

　　柵極電壓。上升過程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高; 　　漏極電壓下...

2023-10-08 標(biāo)簽：新能源汽車電阻功率器件 668 0

氮化鎵功率器就是電容嗎氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...

2023-09-11 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件氮化鎵 640 0

GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢？

納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護...

2023-09-01 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 GaN 1038 0

微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微觀組織結(jié)構(gòu)研究

摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對GaAs功率芯片與MoCu基板進行焊接，分析了焊接溫度、摩擦次數(shù)等工藝參數(shù)對共晶焊接的影響，給出了GaAs芯片共...

2023-07-15 標(biāo)簽：芯片焊接 GaAs 2975 0

淺談車規(guī)級MCU的缺芯狀況

汽車電子中所使用的芯片主要為主控芯片（MCU/SoC）、功率芯片（IGBT）、圖像傳感器芯片(CIS)和存儲芯片(Flash)四大類，MCU作為運動控制...

2023-07-14 標(biāo)簽：mcu 汽車電子圖像傳感器 348 0

產(chǎn)品電源噪聲的主要三大原因

電源是電子產(chǎn)品的心臟，給系統(tǒng)提供源源不斷的能量，但是在使用的時候，總會有噪音的干擾，影響電源的使用。今天我們主要了解電源噪聲的三個主要原因

2023-04-13 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換電源噪聲功率芯片 1701 0

功率芯片的制程

功率芯片的制程與普通的半導(dǎo)體芯片有些不同，因為功率芯片需要承受更大的電流和電壓，因此在制程上需要更加注重功率芯片的耐壓性、耐熱性、導(dǎo)電性等特性。

2023-02-27 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體芯片功率芯片 1912 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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