功率mosfet知識(shí)

• 安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

  基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET

  2024-12-12 標(biāo)簽： MOSFET 功率MOSFET Nexperia 459 0

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  100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述

  SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET，主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上，以及汽車(chē)電

  2024-12-06 標(biāo)簽： 轉(zhuǎn)換器 MOSFET 電池管理系統(tǒng) 211 0

• 功率MOSFET的選型法則

  功率MOSFET有二種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOS

  2024-10-30 標(biāo)簽： MOSFET 封裝 N溝道 338 0

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  使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例

  引言：雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng)，因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞，使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功

  2024-10-15 標(biāo)簽： 并聯(lián) 晶體管 MOS 409 0

• 功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理

  功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中的核心器件，其開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理對(duì)于理解其工作特性

  2024-10-10 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶體管 功率MOSFET 1043 0

• 功率MOSFET故障分析

  功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金

  2024-10-08 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶體管 功率MOSFET 492 0

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  功率MOSFET在電池管理充放電系統(tǒng)中的應(yīng)用

  功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時(shí)，專(zhuān)用IC用于控制MOSFET的開(kāi)啟和關(guān)閉，以管理電池的充

  2024-10-08 標(biāo)簽： 鋰離子電池 蓄電池 功率MOSFET 873 0

• 功率MOSFET的主要特點(diǎn)

  功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金

  2024-05-31 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶體管 功率MOSFET 725 0

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  功率MOSFET的雪崩效應(yīng)

  在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反

  2024-02-23 標(biāo)簽： MOSFET 晶體管 功率MOSFET 997 0

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  功率MOSFET的結(jié)構(gòu)與工作原理

  功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開(kāi)關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定

  2024-01-17 標(biāo)簽： 電壓 功率MOSFET 開(kāi)關(guān)器件 1428 0

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