宇眾環保：化學沉鎳金工序操作指南

生產中需保證鎳缸每缸板的負載應為0.2-1.0dm2/L，針對邦定板或IC、pad間距<5mil之生產板，負載量控制在0.2-0.5dm2/L。化...

2023-10-10 標簽：工藝化學 3123 0

使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

關鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統，在40℃到100℃和...

2022-01-27 標簽：半導體晶圓化學 2660 0

關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標簽：半導體晶體化學 2154 0

關于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優越楊晶模量(1100GPa)，以及在低溫下生長的能力(450C)，這推動了NCD薄膜生長和應用的復興。...

2022-01-25 標簽：機械晶圓化學 2070 0

關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...

2022-01-25 標簽：半導體化學蝕刻 2602 0

蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項...

2022-01-12 標簽：InP技術化學蝕刻 1972 0

多磷酸蝕刻劑的化學特性

摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...

2022-01-07 標簽：化學蝕刻蝕刻工藝 1303 0

單晶片背面和斜面清潔（下篇）

高級應用 在正面具有對損壞敏感的關鍵結構的應用中，例如對于32nm柵極多晶硅(AR5:1)圖案化的晶片，該 系統可以被設置為無損壞地清潔。這是通過修改背...

2022-06-27 標簽：化學物理 951 0

RCA對薄柵氧化物分解特性的影響

引言 我們華林科納已經研究了RCA清洗順序的幾種變化對薄柵氧化物(200-250A)的氧化物電荷和界面陷阱密度的影響。表面電荷分析(SCA) xvil1...

2022-06-20 標簽：半導體化學 951 0

硅KOH蝕刻：凸角蝕刻特性研究

引用 本文介紹了我們華林科納半導體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速...

2022-06-10 標簽：半導體化學制造工藝 1522 0

化學鍍NiP-Pd沉積過程中銅和鎳的腐蝕

介紹 對于集成電路(IC)芯片，焊盤金屬化是在晶片被切割和芯片被封裝之前的制造過程中的最后一步。自集成電路工業開始以來，鋁(Al)一直是使用最廣泛的互連...

2022-06-09 標簽：半導體化學腐蝕 2559 0

不同清洗工藝對納米粒子表面化學的影響（上）

介紹 納米材料在從能源到醫藥和食品的眾多應用中有著巨大的潛力。因此，這一革命性的科學技術領域正被廣泛研究，作為滿足未來社會需求的可能手段。在這種情況下，...

2022-05-10 標簽：納米技術化學納米生物 1383 0

堿性濕法蝕刻抗蝕劑的評價及應用

本文主要報道了ProTEK PSB在實際應用條件下的圖形化特性、抗蝕性和去除特性。研究發現了ProTEK PSB的兩個問題:不可接受的大側刻和有機溶劑或...

2022-02-09 標簽：化學腐蝕安卓 718 0

反應離子蝕刻的實用方法報告

關鍵詞:反應離子刻蝕，加載和滯后效應，微掩膜，氮化鎵，GaAs，磷化銦，納米光子學 摘要 本文將描述反應離子刻蝕技術的一般方面，如各向異性、負載效應、滯...

2022-02-07 標簽：實驗化學 2132 0