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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C（U3）I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間，利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區(qū)別，有時(shí)也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)。
半導(dǎo)體器件（semiconductor device）通常，利用不同的半導(dǎo)體材料、采用不同的工藝和幾何結(jié)構(gòu)，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極管）。晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關(guān)用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號(hào)。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲(chǔ)器件等。在通信和雷達(dá)等軍事裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號(hào)。隨著微波 通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)、電子戰(zhàn)、C（U3）I等系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用 。
分類
晶體二極管
晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè) PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)的P端（P型半導(dǎo)體那邊）接電源的正極而另一端接負(fù)極時(shí)，空穴和電子都向偶極層流動(dòng)而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)（稱反向飽和電流）。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴４送猓琍N結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場很強(qiáng)。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時(shí)間二極管）等。此外，還有利用PN結(jié)特殊效應(yīng)的隧道二極管，以及沒有PN結(jié)的肖脫基二極管和耿氏二極管等。
雙極型晶體管
它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，其中一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個(gè)稱為集電結(jié)。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時(shí)，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里，這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流，只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)？。在共發(fā)射極電路中，微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化，這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。
場效應(yīng)晶體管
它依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
根據(jù)柵的結(jié)構(gòu)，場效應(yīng)晶體管可以分為三種：
①結(jié)型場效應(yīng)管（用PN結(jié)構(gòu)成柵極）；
②MOS場效應(yīng)管（用金屬-氧化物－半導(dǎo)體構(gòu)成柵極，見金屬－絕緣體－半導(dǎo)體系統(tǒng)）；
③MES場效應(yīng)管（用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極）;其中MOS場效應(yīng)管使用最廣泛。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中，MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。
在MOS器件的基礎(chǔ)上，又發(fā)展出一種電荷耦合器件 （CCD），它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲(chǔ)器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。
半導(dǎo)體器件可靠性測試方法多樣，需根據(jù)應(yīng)用場景(如消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí))和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合...
2025-03-08 標(biāo)簽：試驗(yàn)箱半導(dǎo)體器件可靠性測試 226 0
半導(dǎo)體塑封工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體器件的...
2025-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件塑封 538 0
碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研.....
2025-02-06 標(biāo)簽：MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 723 0
碳化硅（SiC）是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半...
2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅可再生能源 691 0
晶閘管（也稱為可控硅）是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子電路中。其穩(wěn)定導(dǎo)通的條件對(duì)于確保電路的正常運(yùn)行至關(guān)重要。 一、...
2025-02-01 標(biāo)簽：晶閘管電子電路半導(dǎo)體器件 744 0
整流二極管和穩(wěn)壓二極管是電子電路中兩種常見的半導(dǎo)體器件，它們雖基于PN結(jié)的基本工作原理，但因設(shè)計(jì)目的和應(yīng)用場景不同，具有顯著差異。1.功能區...
2025-01-15 標(biāo)簽：整流二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體器件 522 0
一、整流二極管工作原理 整流二極管是一種具有單向?qū)щ娦缘陌雽?dǎo)體器件，其核心在于PN結(jié)的特殊性質(zhì)。整流二極管的工作原理主要基于PN結(jié)在外加電壓作用下的導(d...
2025-01-31 標(biāo)簽：整流二極管電荷半導(dǎo)體器件 485 0
三極管（晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件，其主要功能包括信號(hào)放大和開關(guān)操作。在使用三極管之前，正確分辨其類型和引腳位置（即基極、集電極和發(f...
2025-01-13 標(biāo)簽：三極管測量半導(dǎo)體器件 902 0
在電子電路中，二極管作為一種基礎(chǔ)的半導(dǎo)體器件，以其獨(dú)特的單向?qū)щ娦栽谡鳌㈤_關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能中發(fā)揮著...
2025-01-30 標(biāo)簽：二極管電子電路半導(dǎo)體器件 7625 0
破壞性物理分析(DPA)技術(shù)在元器件中的應(yīng)用
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2025-01-10 標(biāo)簽：元器件DPA半導(dǎo)體器件 422 0
Keysight B1500A半導(dǎo)體器件分析儀自學(xué)培訓(xùn)教程立即下載
類別：電子資料 2024-12-17 標(biāo)簽：分析儀半導(dǎo)體器件
類別：電子資料 2023-11-20 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體器件
開關(guān)電源發(fā)展過程中的十個(gè)焦點(diǎn)技術(shù)立即下載
類別：電子資料 2023-11-14 標(biāo)簽：電源開關(guān)電源IGBT
類別：電子資料 2022-10-10 標(biāo)簽：SMD半導(dǎo)體器件
類別：課件下載 2022-07-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件
類別：電子教材 2021-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件
類別：實(shí)用工具 2021-10-21 標(biāo)簽：電源開關(guān)半導(dǎo)體器件
SC2020半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng) 晶體管參數(shù)檢測設(shè)備技術(shù)解析
C2020晶體管測試系統(tǒng)是專為二極管、三極管、IGBT、MOSFET等?半導(dǎo)體分立器件?設(shè)計(jì)的?電學(xué)參數(shù)測試設(shè)備?，集成實(shí...
2025-03-13 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體器件 170 0
第三代半導(dǎo)體器件封裝：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作...
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在現(xiàn)代電子技術(shù)中，二極管和晶體管是兩種不可或缺的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用，從簡單的信號(hào)處理到復(fù)...
2025-02-07 標(biāo)簽：二極管晶體管半導(dǎo)體器件 379 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中，高頻二極管扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅在通信、雷達(dá)、衛(wèi)星等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，還在消費(fèi)電子產(...
2025-02-07 標(biāo)簽：衛(wèi)星電子技術(shù)半導(dǎo)體器件 284 0
在電子電路中，二極管是一種基本的半導(dǎo)體器件，用于整流、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種應(yīng)用。二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是衡量其在高頻開關(guān...
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二極管是一種半導(dǎo)體器件，其主要特性是單向?qū)щ娦裕粗辉试S電流從正極流向負(fù)極，而不允許從負(fù)極流向正極。以下是一些常見的二極管類型及其參數(shù)的簡要介紹： 1......
2025-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體器件單向?qū)щ娦?/a> 992 0
1. 碳化硅的合成方法 碳化硅的合成方法主要有以下幾種： 直接合成法 ：通過在高溫下將硅和碳直接反應(yīng)生成碳化硅。 化學(xué)氣相沉積（CVD） ：利用氣體反應(yīng)...
2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 882 0
2025中國電機(jī)智造與創(chuàng)新應(yīng)用暨電機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈交流會(huì)（春季）
2025中國電機(jī)智造與創(chuàng)新應(yīng)用暨電機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈交流會(huì)（春季） 時(shí)間：2025年 3月27日 主辦單位：Big-Bit商務...
2025-01-22 標(biāo)簽：電機(jī)半導(dǎo)體器件 358 0
整流二極管是一種用于將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）的半導(dǎo)體器件。在這篇文章中，我們將探討整流二極管的電壓范圍，以及影響其性能的各種因素。 1. 整...
2025-01-15 標(biāo)簽：整流二極管電壓半導(dǎo)體器件 586 0
銀燒結(jié)技術(shù)助力功率半導(dǎo)體器件邁向高效率時(shí)代
隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導...
2025-01-08 標(biāo)簽：芯片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 779 0
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