GaN外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不...

2023-06-10 標(biāo)簽：薄膜晶體單晶 1289 0

半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，...

2023-02-13 標(biāo)簽：集成電路工藝晶體管 1.5萬 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標(biāo)簽：單晶襯底加工技術(shù) 1855 0

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶SiC 2645 0

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料為單晶NCM正極構(gòu)建穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和界面

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料因其高放電容量和良好的電化學(xué)性能而受到廣泛關(guān)注，然而，單晶材料在高壓下循環(huán)會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的晶格畸變和電極/...

2022-09-14 標(biāo)簽：電化學(xué)單晶電容量 2494 0

上海合晶登陸科創(chuàng)板，成為我國(guó)少數(shù)具備全流程半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的企業(yè)

上海合晶此次募資總額高達(dá)13.9億元人民幣，這筆款項(xiàng)主要用于投資低阻單晶成長(zhǎng)及優(yōu)質(zhì)外延研發(fā)項(xiàng)目，增設(shè)優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，以及補(bǔ)充運(yùn)營(yíng)所需的流動(dòng)資...

2024-02-18 標(biāo)簽：單晶功率器件外延片 711 0

中來股份發(fā)布投資進(jìn)展公告：一期8GW高效單晶電池智能工廠已投建

據(jù)了解，去年5月22日，中來股份的子公司——山西中來光能就曾與山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)管理委會(huì)簽訂投資協(xié)議，欲斥資約56億元在山西投建年產(chǎn)16GW高效單晶...

2024-01-09 標(biāo)簽：光伏單晶智能化 696 0

山西省重點(diǎn)工程項(xiàng)目，海納半導(dǎo)體硅單晶項(xiàng)目即將投產(chǎn)

海納半導(dǎo)體（山西）有限公司半導(dǎo)體硅單晶生產(chǎn)基地工程總投資5.46億元，占地約133.85畝，建筑面積約8.97萬平方米。利用海納的自主技術(shù)，引進(jìn)120套...

2023-11-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶海納半導(dǎo)體 1038 0

英特格上季度銷售額8.882億美元，同比下降11%

英特格總裁兼首席執(zhí)行官（ceo）Bertrand Loy表示：“英特格在具有挑戰(zhàn)性的產(chǎn)業(yè)環(huán)境中，也取得了穩(wěn)定的季度業(yè)績(jī)和執(zhí)行成果。我們的收益預(yù)期下降了1...

2023-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)單晶GAAP 606 0

世紀(jì)金光6-8英寸SiC單晶襯底項(xiàng)目簽約包頭

據(jù)科創(chuàng)包頭透露，該計(jì)劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進(jìn)計(jì)劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設(shè)總事業(yè)建設(shè)周期將在3年正式啟動(dòng)時(shí)，每...

2023-10-16 標(biāo)簽：芯片單晶碳化硅 879 0

Nature發(fā)文稱韓國(guó)LK-99不是超導(dǎo)體

報(bào)道稱，最近德國(guó)馬克思普朗克固體研究所的科學(xué)家帕斯卡-普帕爾（pascal puphal）提交了事前印刷本論文。該論文成功合成了lk-99單晶，實(shí)驗(yàn)結(jié)果...

2023-08-23 標(biāo)簽：單晶X射線超導(dǎo)體 604 0

石墨烯制備與應(yīng)用十大研究進(jìn)發(fā)展

2021年8月，全球先進(jìn)材料集團(tuán)Haydale宣布與空客公司共享一系列可防止雷擊的石墨烯增強(qiáng)預(yù)浸料的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，空客公司為該技術(shù)提交了聯(lián)合專利申請(qǐng)。與現(xiàn)有...

2023-05-31 標(biāo)簽：單晶石墨烯復(fù)合材料 1529 0

單晶富鎳NCM容量衰減機(jī)制

為了制備單晶正極，將3 μm大小的氫氧化物前驅(qū)體粉末與LiOH均勻混合，并分別在850、900和950℃下煅燒10小時(shí)以獲得S-NCM90、S-NCM8...

2022-12-05 標(biāo)簽：鋰離子電池正極單晶 1558 0

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

本文通過導(dǎo)模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線 分析確認(rèn)晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

2022-11-24 標(biāo)簽：晶體單晶氧化鎵 3133 0