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標(biāo)簽 > 單晶硅

單晶硅

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  半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間,硅、鍺、砷化鎵和硫化鎘都是半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料的電阻率隨著溫度升高和輻射強(qiáng)度的增大而減小,在半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì),對(duì)其導(dǎo)電性有決定性影響,這是半導(dǎo)體材料的重要特性。硅是最常見應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成晶核,其晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,形成單晶硅。

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單晶硅簡(jiǎn)介

單晶硅通常指的是硅原子的一種排列形式形成的物質(zhì)。單晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。

  半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間,硅、鍺、砷化鎵和硫化鎘都是半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料的電阻率隨著溫度升高和輻射強(qiáng)度的增大而減小,在半導(dǎo)體中加入微量的雜質(zhì),對(duì)其導(dǎo)電性有決定性影響,這是半導(dǎo)體材料的重要特性。硅是最常見應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料,當(dāng)熔融的單質(zhì)硅凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格排列成晶核,其晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,形成單晶硅。

  單晶硅作為一種比較活潑的非金屬元素晶體,是晶體材料的重要組成部分,處于新材料發(fā)展的前沿。單晶硅材料制造要經(jīng)過如下過程:石英砂-冶金級(jí)硅-提純和精煉-沉積多晶硅錠-單晶硅-硅片切割。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽(yáng)能光伏發(fā)電、供熱等。

  單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì),有較弱的導(dǎo)電性,其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加;有顯著的半導(dǎo)電性。超純的單晶硅是本征半導(dǎo)體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA族元素,如硼可提高其導(dǎo)電的程度,而形成p型硅半導(dǎo)體;如摻入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高導(dǎo)電程度,形成n型硅半導(dǎo)體。

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單晶硅知識(shí)

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單晶硅資訊

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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • OBD
    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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