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可靠性測(cè)試

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可靠性測(cè)試就是為了評(píng)估產(chǎn)品在規(guī)定的壽命期間內(nèi)，在預(yù)期的使用、運(yùn)輸或儲(chǔ)存等所有環(huán)境下，保持功能可靠性而進(jìn)行的活動(dòng)。是將產(chǎn)品暴露在自然的或人工的環(huán)境條件下經(jīng)受其作用，以評(píng)價(jià)產(chǎn)品在實(shí)際使用、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的環(huán)境條件下的性能，并分析研究環(huán)境因素的影響程度及其作用機(jī)理。

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可靠性測(cè)試技術(shù)

壽命試驗(yàn)的可靠性測(cè)試詳解

本文首先介紹了可靠性測(cè)試的概念與分類，其次介紹了壽命測(cè)試屬于可靠性測(cè)試及其作用，最后介紹了有效的壽命測(cè)試項(xiàng)目及壽命試驗(yàn)相關(guā...

2018-05-14 標(biāo)簽：可靠性測(cè)試 1.7萬(wàn) 0

華為手機(jī)項(xiàng)目測(cè)試及可靠性測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)分享

2018-06-24 標(biāo)簽：華為可靠性測(cè)試 1.6萬(wàn) 0

PCB電路板的可靠性測(cè)試介紹

PCB電路板在今天的生活中發(fā)揮著重要作用。它是電子元件的基礎(chǔ)和高速公路。就這一點(diǎn)而言，PCB的質(zhì)量非常關(guān)鍵。要檢查PCB的質...

2020-09-03 標(biāo)簽：PCB電路板可靠性測(cè)試耐壓測(cè)試 1.4萬(wàn) 0

電源測(cè)試之可靠性測(cè)試（全）

反復(fù)短路測(cè)試測(cè)試說(shuō)明:在各種輸入和輸出狀態(tài)下將模塊輸出短路，模塊應(yīng)能實(shí)現(xiàn)保護(hù)或回縮，反復(fù...

2018-10-02 標(biāo)簽：電源測(cè)試可靠性測(cè)試 1.1萬(wàn) 0

半導(dǎo)體封裝的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)介紹

本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評(píng)估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外，還將介紹...

2024-01-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體封裝可靠性測(cè)試 6143 0

芯片測(cè)試有哪些芯片測(cè)試介紹

本文就芯片測(cè)試做一個(gè)詳細(xì)介紹。芯片的測(cè)試大致可以分成兩大部分。CP(chipprobering)和FT(finaltest)。某些芯片還會(huì...

2024-07-26 標(biāo)簽：晶圓芯片測(cè)試可靠性測(cè)試 3339 0

硬件可靠性測(cè)試設(shè)計(jì)分析

從硬件角度出發(fā)，可靠性測(cè)試分為兩類,以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或者國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為基礎(chǔ)的可靠性測(cè)試。比如電磁兼容...

2011-02-28 標(biāo)簽：硬件可靠性測(cè)試 2253 0

功率器件環(huán)境可靠性測(cè)試的加速老化物理模型

高溫柵偏（HighTemperatureGateBias，HTGB）、高溫反偏（HighTemperatureReverseBias，HTRB）、高溫高...

2024-04-23 標(biāo)簽：功率器件可靠性測(cè)試半導(dǎo)體服務(wù) 2062 0

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)，它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣...

2023-08-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體可靠性測(cè)試 1795 0

IGBT的可靠性測(cè)試方案

在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng)，公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(x...

2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 IGBT 1758 0

可靠性測(cè)試帖子

車(chē)電零部件可靠性驗(yàn)證(AEC-Q)

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六類可靠性試驗(yàn)的異同，終于搞懂了！

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企業(yè)設(shè)計(jì)的可靠性有哪幾種測(cè)試方法

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振動(dòng)可靠性測(cè)試

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可靠性試驗(yàn)順序別搞錯(cuò)，否則結(jié)果不可靠！

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板階可靠性驗(yàn)證

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在哪里獲得PCA85073ADP/FS32K144HAT0MLHT可靠性測(cè)試報(bào)告？

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可靠性測(cè)試資料下載

IGBT功率循環(huán)可靠性測(cè)試設(shè)備立即下載

類別：電子資料 2023-02-23 標(biāo)簽：labview IGBT 可靠性測(cè)試 2591 0

半導(dǎo)體集成電路可靠性測(cè)試及數(shù)據(jù)處理立即下載

類別：半導(dǎo)體技術(shù)論文 2012-04-23 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體可靠性測(cè)試 1643 1

CREE可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)立即下載

類別：規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2011-04-20 標(biāo)簽：標(biāo)準(zhǔn)CREE 可靠性測(cè)試 1422 0

HALT、HASS等可靠性測(cè)試資料立即下載

類別：規(guī)則標(biāo)準(zhǔn) 2015-02-09 標(biāo)簽：可靠性測(cè)試 HALT HASS 1232 0

PCB單位換算工具立即下載

類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2023-09-27 標(biāo)簽：pcb 可靠性測(cè)試 1064 0

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類別：測(cè)試測(cè)量 2013-07-24 標(biāo)簽：可靠性測(cè)試抽樣統(tǒng)計(jì) 879 2

硬件測(cè)試技術(shù)立即下載

類別：電子資料 2022-10-08 標(biāo)簽：pcb 可靠性測(cè)試硬件測(cè)試 725 0

可靠性預(yù)測(cè)一覽立即下載

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AEC-Q100-012智能電源開(kāi)關(guān)短路可靠性測(cè)試結(jié)果立即下載

類別：電子資料 2024-10-08 標(biāo)簽：短路電源開(kāi)關(guān)可靠性測(cè)試 454 0

TPS7B4250-Q1短路可靠性測(cè)試立即下載

類別：電子資料 2024-09-30 標(biāo)簽：短路可靠性測(cè)試 139 0

可靠性測(cè)試資訊

評(píng)定封裝可靠性水平的MSL試驗(yàn)

　　摘要：隨著塑料封裝集成電路在眾多領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用，封裝的質(zhì)量和可靠性水平越來(lái)越受到廣大用戶的關(guān)注。作為評(píng)定和考核封裝可...

2012-03-27 標(biāo)簽：MSL 可靠性測(cè)試 1.9萬(wàn) 0

集成電路封裝設(shè)計(jì)的可靠性提高方法研究

集成電路封裝是集成電路制造中的重要一環(huán)，集成電路封裝的目的有：第一，對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)，隔絕水汽灰塵以及防止氧化；第二，散熱；第三，物理連接和電連...

2011-10-25 標(biāo)簽：集成電路封裝可靠性測(cè)試 1.1萬(wàn) 0

晶圓級(jí)可靠性測(cè)試:器件開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵步驟

摘要隨著器件尺寸的持續(xù)減小，以及在器件的制造中不斷使用新材料，對(duì)晶圓級(jí)可靠性測(cè)試的要求越來(lái)越高。在器件研發(fā)過(guò)程中這些...

2012-03-27 標(biāo)簽：晶圓可靠性測(cè)試 9014 0

芯片做哪些可靠性測(cè)試項(xiàng)目

芯片可靠性測(cè)試主要分為環(huán)境試驗(yàn)和壽命試驗(yàn)兩個(gè)大項(xiàng)，其中環(huán)境試驗(yàn)中包含了機(jī)械試驗(yàn)（振動(dòng)試...

2022-12-29 標(biāo)簽：芯片單芯片可靠性測(cè)試 7350 0

電路板高低溫試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)概述

高低溫試驗(yàn)又稱高低溫循環(huán)測(cè)試，是環(huán)境可靠性測(cè)試中的一項(xiàng)，電路板需要進(jìn)行高溫、低溫循環(huán)的試驗(yàn)...

2022-12-07 標(biāo)簽：PCB 電路板試驗(yàn) 5729 0

盤(pán)點(diǎn)16種常見(jiàn)的PCB可靠性測(cè)試，您的板經(jīng)得起測(cè)試嗎？

一個(gè)可靠性的PCB板，需要經(jīng)過(guò)多輪測(cè)試。本文將會(huì)整理出16種常見(jiàn)的PCB可靠性測(cè)試，有興趣的客戶可以測(cè)試下自己的...

2022-11-08 標(biāo)簽：PCB 可靠性測(cè)試華秋 5499 0

硅片級(jí)可靠性測(cè)試詳解

硅片級(jí)可靠性（WLR）測(cè)試最早是為了實(shí)現(xiàn)內(nèi)建（BIR）可靠性而提出的一種測(cè)試手段。

2012-03-27 標(biāo)簽：可靠性分析可靠性測(cè)試 5458 0

設(shè)備軟件可靠性測(cè)試

設(shè)備為達(dá)到連續(xù)可運(yùn)行目標(biāo)，除了在硬件設(shè)計(jì)中考慮器件可連續(xù)無(wú)故障運(yùn)行外，很重要的方面是軟件在各種條件...

2012-05-15 標(biāo)簽：設(shè)備可靠性測(cè)試 4414 0

淺談通信設(shè)備用光電子器件可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)GR-468（上）

GR-468針對(duì)的是電信級(jí)應(yīng)用的長(zhǎng)壽命光電子器件。涉及激光器、發(fā)光二極管LED、探測(cè)器、EML電吸收調(diào)制器及其他外調...

2023-10-19 標(biāo)簽：光電子器件器件可靠性測(cè)試 3947 0

半導(dǎo)體可靠性測(cè)試有哪些

在半導(dǎo)體器件中，常見(jiàn)的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測(cè)試不改變故障的物理特性，但會(huì)轉(zhu...

2023-07-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)可靠性測(cè)試 3889 0

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集成電路設(shè)計(jì)（Integrated circuit design， IC design），亦可稱之為超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)（VLSI design），是指以集成電路、超大規(guī)模集成電路為目標(biāo)的設(shè)計(jì)流程。集成電路設(shè)計(jì)涉及對(duì)電子器件（例如晶體管、電阻器、電容器等）、器件間互連線模型的建立。
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TCXO（Temperature Compensate X‘tal （crystal） Oscillator） TCXO是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種。1.TCXO的溫度補(bǔ)償方式，溫度補(bǔ)償型石英晶體諧振器，具有精度高等特點(diǎn)。
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深南電路股份有限公司（簡(jiǎn)稱“深南電路”），成立于1984年，注冊(cè)資本4.89億元，總部坐落于中國(guó)廣東省深圳市，主要生產(chǎn)基地位于中國(guó)深圳、江蘇無(wú)錫及南通，業(yè)務(wù)遍及全球，在北美設(shè)有子公司，歐洲設(shè)有研發(fā)站點(diǎn)。
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　　LED開(kāi)關(guān)電源中應(yīng)用的電子器件主要為：LED二極管、IGBT和MOSFET。SCR在開(kāi)關(guān)電源輸入整流電路及軟啟動(dòng)電路中有少量應(yīng)用，GTR驅(qū)動(dòng)困難，開(kāi)關(guān)頻率低，逐漸被IGBT和MOSFET取代。
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杭州廣立微電子股份有限公司是領(lǐng)先的集成電路EDA軟件與晶圓級(jí)電性測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商，公司專注于芯片成品率提升和電性測(cè)試快速監(jiān)控技術(shù)，是國(guó)內(nèi)外多家大型集成電路制造與設(shè)計(jì)企業(yè)的重要合作伙伴。
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去耦（decoupling）電容也稱退耦電容，一般都安置在元件附近的電源處，用來(lái)濾除高頻噪聲，使電壓穩(wěn)定干凈，保證元件的正常工作。去耦電容是電路中裝設(shè)在元件的電源端的電容
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