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標(biāo)簽 > 基極電流
基極電流是載流子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合形成的復(fù)合電流,在發(fā)射極是IE,為了保證基極電流流過Re,產(chǎn)生的電壓降與IE流過時(shí)一樣,所以要將Re乘以(1+β),基區(qū)是雙極型晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)中的一個重要區(qū)域。
基極電流是載流子在基區(qū)擴(kuò)散與復(fù)合形成的復(fù)合電流,在發(fā)射極是IE,為了保證基極電流流過Re,產(chǎn)生的電壓降與IE流過時(shí)一樣,所以要將Re乘以(1+β),基區(qū)是雙極型晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)中的一個重要區(qū)域。
基極電流是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個重要概念,它是指在晶體管中,從基極流向發(fā)射極的電流。晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中,其工作原理基于P...
2024-07-18 標(biāo)簽:晶體管pnp半導(dǎo)體器件 871 0
雙極型晶體管(BJT)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由三個主要部分組成:發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collecto...
2024-07-18 標(biāo)簽:晶體管電子電路半導(dǎo)體器件 548 0
在實(shí)際應(yīng)用中,基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會受到動態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中,基極電流(Ib)和集電極電流(Ic)是雙極型晶體管(BJ...
2024-07-18 標(biāo)簽:PN結(jié)半導(dǎo)體器件集電極電流 1836 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
2024-04-09 標(biāo)簽:三極管MOS管發(fā)射機(jī) 1.1萬 0
當(dāng)NPN三極管的基極接收到高電平信號時(shí),三極管導(dǎo)通,允許電流從其集電極流向發(fā)射極。這個電流通過繼電器線圈,使繼電器吸合,其觸點(diǎn)狀態(tài)發(fā)生改變(常開觸點(diǎn)閉合...
在基本放大電路中,基極端連接著開關(guān)S,只要打開S,則集電極發(fā)射極之間幾乎沒有電流流通,蜂鳴器不發(fā)聲。如果閉合s,則基極發(fā)射極之間電流導(dǎo)通,同時(shí)集電極發(fā)射...
此電路看似簡單,實(shí)際原理是當(dāng)采樣電阻R4的電壓變化時(shí),直接反饋到運(yùn)放的反相輸入端,它與同相輸入端電壓的差值被運(yùn)放放大,輸出控制三極管的基極電流,改變?nèi)龢O...
芯片設(shè)計(jì)都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個非常重要的問題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計(jì)都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS芯片設(shè)計(jì)BJT 3133 0
閂鎖效應(yīng)(Latch-up)原理及其抑制方法解析
閂鎖效應(yīng):實(shí)際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個BJT管子(下圖中,側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 1.8萬 0
雙極型晶體管(BJT)是一種重要的電子元件,它在高頻應(yīng)用中扮演著關(guān)鍵角色。隨著電子技術(shù)的發(fā)展,對BJT的高頻性能要求也越來越高。 BJT的基本原理 BJ...
判斷三極管工作狀態(tài)的方法? 判斷三極管工作狀態(tài)的方法是電子工程師在工作中必不可少的技能。三極管作為一種常用的電子器件,在放大電路、開關(guān)電路和邏輯電路中具...
什么是三極管的飽和工作狀態(tài)?如何才能讓使三極管進(jìn)入飽和工作狀態(tài)呢?
什么是三極管的飽和工作狀態(tài)?如何才能讓使三極管進(jìn)入飽和工作狀態(tài)呢? 三極管的飽和工作狀態(tài)是一種特殊的工作狀態(tài),當(dāng)三極管被置于飽和狀態(tài)時(shí),電流和電壓都達(dá)到...
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