IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區別？

三極管的結構是給一塊純硅進行三層摻雜，其中較窄區域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區域普通濃度P型摻雜，含有少數空穴，上邊較寬區域普通濃度N型...

2024-04-09 標簽：三極管MOS管發射機 1.1萬 0

NPN三極管驅動繼電器電路原理圖

當NPN三極管的基極接收到高電平信號時，三極管導通，允許電流從其集電極流向發射極。這個電流通過繼電器線圈，使繼電器吸合，其觸點狀態發生改變（常開觸點閉合...

2024-03-15 標簽：三極管繼電器負載電路 6552 0

電力晶體管GTR的工作原理及開關特性詳解

電力晶體管（Giant Transistor—GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—...

2024-03-07 標簽：驅動電路BJTGTR 6194 0

基本放大電路中直流電流放大系數解析

在基本放大電路中,基極端連接著開關S,只要打開S,則集電極發射極之間幾乎沒有電流流通,蜂鳴器不發聲。如果閉合s,則基極發射極之間電流導通,同時集電極發射...

2024-02-05 標簽：放大電路直流電流基極電流 1836 0

基于運放和三極管組成的恒流源電路圖

此電路看似簡單，實際原理是當采樣電阻R4的電壓變化時，直接反饋到運放的反相輸入端，它與同相輸入端電壓的差值被運放放大，輸出控制三極管的基極電流，改變三極...

2023-12-26 標簽：三極管電流負載電流 3841 1

芯片設計都不可避免的考慮要素—閂鎖效應latch up

閂鎖效應，latch up，是個非常重要的問題。現在的芯片設計都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。

2023-12-01 標簽：CMOS芯片設計BJT 3160 0

閂鎖效應（Latch-up）原理及其抑制方法解析

閂鎖效應：實際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個BJT管子(下圖中，側面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的

2023-12-01 標簽：CMOS電路VDD閂鎖效應 1.8萬 0

IGBT的物理結構模型—BJT&MOS模型（1）

在前面關于PIN&MOS模型分析中，特別強調了這個模型所存在的一個短板，即所有電流都通過MOS溝道，實際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...

2023-12-01 標簽：IGBT晶體管MOS 1461 0

IGBT中的若干PN結—PNPN結構介紹

在前文的PNP結構中，我們描述了一種現象，如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態，那么就會發生失控，產生latch-up現象。

2023-11-29 標簽：晶閘管IGBTBJT 2189 0

為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？它們有何區別和聯系？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...

2023-11-24 標簽：MOSFETIGBTBJT 2240 0

求解三極管電路的輸出電位值

面試題的選擇當然是偶個人覺得比較好的，所以肯定有一定的主觀性。咱以前為公司招聘時也出過題目，都是最簡單的（例如，給一個“場效應管驅動電磁繼電器”電路，讓...

2023-11-20 標簽：三極管繼電器NPN 1048 0

介紹一種變壓器風扇自啟動電路

通過利用電接點溫度繼電器，控制冷卻風扇在變壓器等設備發熱溫度達到上限值時，自動啟動；當溫度下降到設定值時風扇自動停止。

2023-11-09 標簽：三極管繼電器啟動電路 984 0

N型三極管的工作狀態

我們來解釋下N三極管在實際中工作狀態。

2023-11-06 標簽：三極管電路設計工作狀態 1197 0

差分放大電路對共模信號和差模信號的影響

當集電極電流Icq有微小變化時，會在發射極電阻Re上產生壓降，而Re上的壓降又會影響b-e之間的電壓，從而會影響Icq，達到穩定工作點。

2023-05-01 標簽：晶體管差分放大電路差模信號 7806 0

三極管電流鏡電路設計

我們大致了解了三極管的分類和工作模式，介紹概念不說應用基本沒有什么深刻的印象。

2023-04-25 標簽：三極管電路設計電流鏡 1101 0

射極跟隨電路的參數設計

射極跟隨電路的原理圖在上一節我們已經通過理論分析大致畫了出來。接下來求從“設計的角度”出發，思考射極跟隨電路的原理。不但需要計算各器件的參數，還要進行參...

2023-04-21 標簽：三極管原理圖偏置電路 1408 0