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標(biāo)簽 > 基極電流
基極電流是載流子在基區(qū)擴散與復(fù)合形成的復(fù)合電流,在發(fā)射極是IE,為了保證基極電流流過Re,產(chǎn)生的電壓降與IE流過時一樣,所以要將Re乘以(1+β),基區(qū)是雙極型晶體管(BJT)結(jié)構(gòu)中的一個重要區(qū)域。
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基極電流是電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個重要概念,它是指在晶體管中,從基極流向發(fā)射極的電流。晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中,其工作原理基于P...
2024-07-18 標(biāo)簽:晶體管pnp半導(dǎo)體器件 882 0
雙極型晶體管(BJT)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它由三個主要部分組成:發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collecto...
2024-07-18 標(biāo)簽:晶體管電子電路半導(dǎo)體器件 550 0
在實際應(yīng)用中,基極電流和集電極電流之間的關(guān)系可能會受到動態(tài)因素的影響。在電子學(xué)和半導(dǎo)體物理學(xué)中,基極電流(Ib)和集電極電流(Ic)是雙極型晶體管(BJ...
2024-07-18 標(biāo)簽:PN結(jié)半導(dǎo)體器件集電極電流 1880 0
IGBT/三極管/MOS管這三種元器件之間有什么區(qū)別?
三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進行三層摻雜,其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜,含有大量自由電子,中間極窄區(qū)域普通濃度P型摻雜,含有少數(shù)空穴,上邊較寬區(qū)域普通濃度N型...
當(dāng)NPN三極管的基極接收到高電平信號時,三極管導(dǎo)通,允許電流從其集電極流向發(fā)射極。這個電流通過繼電器線圈,使繼電器吸合,其觸點狀態(tài)發(fā)生改變(常開觸點閉合...
在基本放大電路中,基極端連接著開關(guān)S,只要打開S,則集電極發(fā)射極之間幾乎沒有電流流通,蜂鳴器不發(fā)聲。如果閉合s,則基極發(fā)射極之間電流導(dǎo)通,同時集電極發(fā)射...
芯片設(shè)計都不可避免的考慮要素—閂鎖效應(yīng)latch up
閂鎖效應(yīng),latch up,是個非常重要的問題。現(xiàn)在的芯片設(shè)計都不可避免的要考慮它。我今天就簡單地梳理一下LUP的一些問題。
閂鎖效應(yīng)(Latch-up)原理及其抑制方法解析
閂鎖效應(yīng):實際上是由于CMOS電路中基極和集電極相互連接的兩個BJT管子(下圖中,側(cè)面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
2023-12-01 標(biāo)簽:CMOS電路VDD閂鎖效應(yīng) 1.8萬 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(1)
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中,特別強調(diào)了這個模型所存在的一個短板,即所有電流都通過MOS溝道,實際上只有電子電流通過MOS溝道,而空穴電流...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個BJT都處于工作狀態(tài),那么就會發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
射極跟隨電路的原理圖在上一節(jié)我們已經(jīng)通過理論分析大致畫了出來。接下來求從“設(shè)計的角度”出發(fā),思考射極跟隨電路的原理。不但需要計算各器件的參數(shù),還要進行參...
用于OFF晶體管的時間差。toff比用于ON的時間ton要長,而且根據(jù)驅(qū)動基極的條件變化很大,這在高速開關(guān)電路中必需注意。
2023-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電路晶體管開關(guān)二極管 1556 0
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