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標(biāo)簽 > 安森美
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,ON半導(dǎo)體公司是世界最大模擬IC、邏輯IC和分立半導(dǎo)體元件供應(yīng)商之一。
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AI數(shù)據(jù)中心電力飆升,安森美高能效MOSFET如何見招拆招?
安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù),降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,并進(jìn)而顯著降低了其 Qg,RDS(O...
2024-06-29 標(biāo)簽:MOSFET安森美數(shù)據(jù)中心 829 0
UPS的應(yīng)用場(chǎng)景日趨多樣化,每個(gè)場(chǎng)景都有其獨(dú)特的需求,對(duì)應(yīng)不同的方案。UPS系統(tǒng)方案指南繼續(xù)上新,本文將聚焦UPS設(shè)計(jì)方案展開講述。
UPS 在二十世紀(jì)剛問世時(shí),唯一的用途是在停電時(shí)提供應(yīng)急電源,但由于價(jià)格昂貴,應(yīng)用范圍十分有限。如今,隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,UPS 可以高效地優(yōu)化...
2024-06-22 標(biāo)簽:電源安森美UPS系統(tǒng) 599 0
在更快的連接速度、更高的自動(dòng)化程度和更智能系統(tǒng)的推動(dòng)下,工業(yè)4.0加快了視覺技術(shù)在制造業(yè)中的應(yīng)用,并將智能化引入到以往簡(jiǎn)單的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中。上一代視覺系...
2024-06-17 標(biāo)簽:安森美圖像傳感器計(jì)算機(jī) 396 0
電動(dòng)汽車直流充電樁設(shè)計(jì)的解決方案
目前,全球已推出或即將推出 20 多款配備 800 V 系統(tǒng)的車型,提供超過350kW 充電功率的快速充電站已廣泛普及。預(yù)計(jì)充電模塊將朝著更高功率和更高...
2024-06-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美直流充電樁 1097 0
安森美低/中/高功率電源方案設(shè)計(jì)框圖與產(chǎn)品選型指南
DC-DC 轉(zhuǎn)換器可將直流輸入轉(zhuǎn)換為所需的直流輸出,是 SMPS 的核心器件。AC-DC 轉(zhuǎn)換器(即所謂的離線轉(zhuǎn)換器)將電網(wǎng)的交流輸入整流為直流,作為次...
2024-04-14 標(biāo)簽:電源電源設(shè)計(jì)安森美 1333 0
安森美HyperluxTM LP圖像傳感器這項(xiàng)WoM技術(shù),智能家居、安防應(yīng)用少不了
您有沒有想過,智能生活中的小日常背后都蘊(yùn)藏著哪些科技力量?比如,智能門鈴如何檢測(cè)到有人走到您家門口,又如何通過攝像頭識(shí)別重要?jiǎng)幼鳎看鸢妇褪恰獔D像傳感器...
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特...
安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
2024-03-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 1641 0
一切始于18年前我開始研究用于后視攝像頭(RVC)的一種首款汽車CMOS圖像傳感器。在當(dāng)時(shí),配備RVC以幫助駕駛員看到汽車后方是一項(xiàng)偉大創(chuàng)新。二十年后的...
充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評(píng)估購買電動(dòng)汽車 (EV)的一個(gè)主要考慮因素。為了縮短充電時(shí)間,業(yè)界正轉(zhuǎn)向采用直流充電樁 (DCFC)。DCFC繞過電動(dòng)汽車的車載...
2024-01-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車安森美OBC 3882 0
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),...
LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要點(diǎn)
在ACDC開關(guān)電源設(shè)計(jì)過程中,當(dāng)需要實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)需求時(shí),工程師往往會(huì)考慮LLC諧振半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),因此在開關(guān)電源設(shè)計(jì)尤其是...
2024-01-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源安森美拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 1617 0
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),...
安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測(cè)試方案
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場(chǎng)畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測(cè)試來增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過程控制的有效性。
使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開關(guān)損耗影響的評(píng)估
過去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型,它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時(shí),這些簡(jiǎn)單的模型通常無法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...
使用KA5x02芯片設(shè)計(jì)LED開關(guān)電源
美國(guó)Pi公司的單芯片開關(guān)電源TOPSWITCH可謂大名鼎鼎,其實(shí)美國(guó)還有安森美公司,IR公司,仙童公司等的開關(guān)電源單芯片也非常不錯(cuò),Pi公司的創(chuàng)新之處,...
醫(yī)療可穿戴設(shè)備的設(shè)計(jì)需求和解決方案
隨著人們?cè)絹碓街匾暽眢w健康,以及眾多國(guó)家面臨人口老化的問題,使得醫(yī)療可穿戴設(shè)備的需求快速增加,這些可穿戴設(shè)備通常采用電池操作,因此要求低功耗、小體積,這...
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