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寬帶隙半導(dǎo)體

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寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)

寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)：緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI

在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關(guān)...

2021-03-18 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 緩沖器 7829 0

半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浼軜?gòu)和挑戰(zhàn) 寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)展

功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的終極目標(biāo)是以最高效率將來自配電系統(tǒng)（公用事業(yè)AC或DC匯流排）電壓轉(zhuǎn)換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體寬帶隙器件寬帶隙半導(dǎo)體 4331 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵電子開關(guān) 2449 1

寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕

寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 蝕刻 2412 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1894 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展

　　寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽能電池、激光...

2023-02-16 標(biāo)簽：太陽能半導(dǎo)體電池 1651 0

直流電能計(jì)量的應(yīng)用和解決方案

在基于寬帶隙半導(dǎo)體（例如GaN和SiC器件）的高效經(jīng)濟(jì)型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動下，許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此，精確的直流電能計(jì)量變得...

2024-08-21 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體電能計(jì)量 1525 0

分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

了解半導(dǎo)體價帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體計(jì)算模型碳化硅 1294 0

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)為實(shí)現(xiàn)更高效功率轉(zhuǎn)換打開大門

電動車是車輪上的數(shù)據(jù)中心，具有工業(yè)規(guī)模的電動機(jī)控制（圖1），它的可行性取決于牽引逆變器和充電電路的效率。效率每提高一個百分點(diǎn)都能促進(jìn)散熱需求降低、重量減...

2022-09-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體寬帶 UnitedSiC 1229 0

寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場徹底的變革，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1091 0

寬帶隙半導(dǎo)體帖子

寬帶隙半導(dǎo)體資料下載

使用寬帶隙半導(dǎo)體和數(shù)字控制設(shè)計(jì)更有效的功率因數(shù)校正立即下載

類別：電子資料 2022-11-24 標(biāo)簽：應(yīng)用筆記得捷寬帶隙半導(dǎo)體 141 0

寬帶隙半導(dǎo)體資訊

碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價帶的最高占據(jù)態(tài)移動到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2000 0

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 碳化硅 1691 0

寬帶隙半導(dǎo)體為通向太空鋪平道路

自硅問世以來，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個優(yōu)勢...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 寬帶隙半導(dǎo)體 1469 0

寬帶隙半導(dǎo)體：到電動汽車及以后

在電力電子領(lǐng)域，硅在過去的 40 年中已成為主流技術(shù)；今天，硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍，以這種材料為基礎(chǔ)的設(shè)備在我們的生活中無處不在。這種采用...

2022-08-05 標(biāo)簽：電動汽車轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 913 0

寬帶隙半導(dǎo)體提高新型功率器件的效率

效率是所有工業(yè)部門的驅(qū)動力，包括消費(fèi)部門。在電子系統(tǒng)中，效率會導(dǎo)致性能限制以及使用壽命縮短。然而，更高的效率推動行業(yè)朝著更高的功率密度發(fā)展，并有可能擁有...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件寬帶隙半導(dǎo)體 761 0

如何賦能新一代寬帶隙半導(dǎo)體？這三類隔離柵極驅(qū)動器了解一下~

在電力電子領(lǐng)域，為了最大限度地降低開關(guān)損耗，通常希望開關(guān)時間短。然而快速開關(guān)同時隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設(shè)計(jì)更高...

2023-11-17 標(biāo)簽：亞德諾寬帶隙半導(dǎo)體 706 0

用于電動汽車的寬帶隙半導(dǎo)體

我們與 ROHM Semiconductor 的電源系統(tǒng)總監(jiān) Aly Mashaly 就這個不斷增長的市場進(jìn)行了交談。使用電力驅(qū)動的車輛而不是化石燃料...

2022-07-28 標(biāo)簽：電動車半導(dǎo)體功率器件 673 0

寬帶隙半導(dǎo)體封裝用于高壓來突出陶瓷基板

? ? ? ?寬帶隙半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)高壓（10kv及以上）開關(guān)。因此，需要新的封裝解決方案來為此類設(shè)備奠定的基礎(chǔ)。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術(shù)，...

2022-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝陶瓷基板寬帶隙半導(dǎo)體 660 0

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動汽車電氣化

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...

2022-07-29 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵碳化硅 644 0

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體助力可持續(xù)電動汽車電源轉(zhuǎn)換，頂部冷卻(TSC)技術(shù)提升熱性能

現(xiàn)如今，全球移動出行領(lǐng)域正處于一個重大轉(zhuǎn)變之中，電動汽車(EV)銷量激增，各國政府和消費(fèi)者也在努力低碳出行減輕氣候變化的影響，預(yù)計(jì)到2030年，電動汽車...

2024-06-27 標(biāo)簽：電動汽車電源 SiC 638 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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