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寬帶隙半導體

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寬帶隙半導體技術

WBG 器件給柵極驅動器電源帶來的挑戰

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅...

2024-09-27 標簽：驅動器 SiC GaN 803 0

直流電能計量的應用和解決方案

在基于寬帶隙半導體（例如GaN和SiC器件）的高效經濟型功率轉換技術發展的推動下，許多應用現在都看到了轉換為直流電能的好處。因此，精確的直流電能計量變得...

2024-08-21 標簽：電動汽車半導體電能計量 1525 0

寬帶隙半導體重塑交通運輸行業

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個交通運輸行業正在經歷一場徹底的變革，內燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

2024-02-13 標簽：二極管半導體 SiC 1091 0

功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時，柵極電阻選型注意事項

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被...

2023-11-27 標簽：半導體柵極電阻功率逆變器 499 0

功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時柵極電阻選型注意事項

2023-11-23 標簽：柵極電阻半導體器件功率逆變器 700 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢

設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有...

2023-10-12 標簽：SiC 氮化鎵電子開關 2449 1

利用寬帶隙半導體和數字控制設計更有效的功率因數校正電路

作者：Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設備（包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲能系統、電機驅動器和不間斷電源）的效...

2023-10-03 標簽：半導體功率因數電源轉換器 1086 0

寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢

2023-09-21 標簽：半導體 SiC 電子開關 764 0

導入寬帶隙半導體滿足高瓦數電源供應需求

益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管，以降低開關損耗和恢復損耗，搭配 PFC 和 LLC ...

2023-06-02 標簽：半導體功率器件數字控制器 463 0

寬帶隙半導體技術應用和發展

　　寬帶隙半導體是一種具有寬帶隙的半導體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發射更多的光子，從而提高半導體器件的效率。它廣泛應用于太陽能電池、激光...

2023-02-16 標簽：太陽能半導體電池 1651 0

寬帶隙和超寬帶隙半導體技術介紹

用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導體

2022-12-22 標簽：光電子寬帶隙器件寬帶隙半導體 1069 0

寬帶隙半導體技術為實現更高效功率轉換打開大門

電動車是車輪上的數據中心，具有工業規模的電動機控制（圖1），它的可行性取決于牽引逆變器和充電電路的效率。效率每提高一個百分點都能促進散熱需求降低、重量減...

2022-09-29 標簽：半導體寬帶 UnitedSiC 1229 0

分析用于電力電子的寬帶隙半導體

使用寬帶隙半導體的技術可以滿足當今行業所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅（SiC）...

2022-07-29 標簽：MOSFET 半導體 SiC 1894 0

分析寬帶隙半導體的計算模型

了解半導體價帶和導帶的形成機制對于新材料生產的潛在技術影響至關重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型，突出了理解能帶結構的理論困難，然后將其與實驗數據進...

2022-07-29 標簽：半導體計算模型碳化硅 1294 0

寬帶隙半導體GaN、ZnO和SiC的濕法化學腐蝕

寬帶隙半導體具有許多特性，這些特性使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕，即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標簽：半導體 SiC 蝕刻 2412 0

半導體功率轉換拓撲架構和挑戰寬帶隙半導體的技術進展

功率轉換器設計者的終極目標是以最高效率將來自配電系統（公用事業AC或DC匯流排）電壓轉換為不同DC或AC電平。

2021-03-08 標簽：意法半導體寬帶隙器件寬帶隙半導體 4331 0

寬帶隙半導體開關：緩慢的開關沿可減少過沖和EMI

在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關...

2021-03-18 標簽：電容器 MOSFET 緩沖器 7829 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結構是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結構Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數
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