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寬帶隙半導體

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寬帶隙半導體資訊

Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠寬帶隙（WBG）半導體研發與生產

全球領先的半導體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導體研究...

2024-07-15 標簽：電動汽車半導體寬帶隙半導體 390 0

寬帶隙(WBG)半導體助力可持續電動汽車電源轉換，頂部冷卻(TSC)技術提升熱性能

現如今，全球移動出行領域正處于一個重大轉變之中，電動汽車(EV)銷量激增，各國政府和消費者也在努力低碳出行減輕氣候變化的影響，預計到2030年，電動汽車...

2024-06-27 標簽：電動汽車電源 SiC 638 0

新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率

2023-11-30 標簽：半導體功率轉換寬帶隙半導體 522 0

如何賦能新一代寬帶隙半導體？這三類隔離柵極驅動器了解一下~

在電力電子領域，為了最大限度地降低開關損耗，通常希望開關時間短。然而快速開關同時隱藏了高壓瞬變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設計更高...

2023-11-17 標簽：亞德諾寬帶隙半導體 706 0

為什么說這兩種寬帶隙半導體將成為數據中心電源系統的新寵？

數據中心在日益數字化、互聯化和虛擬化的世界中發揮著關鍵和重要的作用。由于數據中心有巨大的能源需求，因此需要能夠減少電力損失、提高效率和加強熱控制的電源解...

2023-10-04 標簽：得捷電子寬帶隙半導體 551 0

在航天和衛星動力系統中使用寬帶隙半導體要克服三個關鍵的挑戰

寬帶隙 (WBG) 半導體在電源轉換方面具備幾個優勢，如功率密度和效率更高，同時可通過允許使用更小無源元器件的高頻開關，減少系統尺寸和重量。這些優勢在航...

2023-09-20 標簽：得捷電子寬帶隙半導體 593 0

寬帶隙半導體封裝用于高壓來突出陶瓷基板

? ? ? ?寬帶隙半導體可實現高壓（10kv及以上）開關。因此，需要新的封裝解決方案來為此類設備奠定的基礎。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術，...

2022-09-19 標簽：半導體封裝陶瓷基板寬帶隙半導體 660 0

寬帶隙半導體為通向太空鋪平道路

自硅問世以來，寬帶隙半導體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領域最有前途的材料。與傳統的硅基技術相比，這些材料具有多個優勢...

2022-08-08 標簽：半導體 GaN 寬帶隙半導體 1469 0

寬帶隙半導體提高新型功率器件的效率

效率是所有工業部門的驅動力，包括消費部門。在電子系統中，效率會導致性能限制以及使用壽命縮短。然而，更高的效率推動行業朝著更高的功率密度發展，并有可能擁有...

2022-08-08 標簽：半導體功率器件寬帶隙半導體 761 0

寬帶隙半導體：到電動汽車及以后

在電力電子領域，硅在過去的 40 年中已成為主流技術；今天，硅功率晶體管和二極管是如此普遍和普遍，以這種材料為基礎的設備在我們的生活中無處不在。這種采用...

2022-08-05 標簽：電動汽車轉換器半導體 913 0

寬帶隙半導體：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC...

2022-07-29 標簽：半導體 SiC GaN 581 0

碳化硅寬帶隙半導體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導體極大地影響了使用它們的設備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導體價帶的最高占據態移動到導帶的最低未占據態所需的能量。

2022-07-29 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2000 0

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導體推動汽車電氣化

碳化硅和氮化鎵等寬帶隙功率半導體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。現在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...

2022-07-29 標簽：電動汽車氮化鎵碳化硅 644 0

用于電動汽車的寬帶隙半導體

我們與 ROHM Semiconductor 的電源系統總監 Aly Mashaly 就這個不斷增長的市場進行了交談。使用電力驅動的車輛而不是化石燃料...

2022-07-28 標簽：電動車半導體功率器件 673 0

寬帶隙半導體終結了硅的主導地位

寬帶隙 (WBG) 半導體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經終結了硅在電力電子領域的主導地位。自硅問世以來，WBG 半導體被證明是電力...

2022-07-27 標簽：半導體 FET 碳化硅 1691 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結構是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結構Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數
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