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      標簽　>　寬禁帶半導體

      寬禁帶半導體

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      關于對碳化硅誤解的描述

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      2023-09-22 標簽：MOSFETIGBT硅晶圓 310 0

      氮化鎵(GaN)技術創新概況 氮化鎵襯底技術是什么

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      氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電...

      2023-09-04 標簽：半導體材料氮化鎵GaN 960 0

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      光子是量子力學的基本粒子之一。對光量子態的有效操控和調制，是量子計算、量子保密通信等應用的基石。手性光子源可以在光源芯片內實現對光量子態的原位調制，有利...

      2023-08-21 標簽：存儲器顯微鏡量子計算 473 0

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      幾十年來，硅（Si）一直是半導體行業的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展，硅的局限...

      2024-10-24 標簽：電力電子SiCGaN 206 0

      鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資

      杭州鎵仁半導體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時與杭州銀行達成重要戰略合作。本輪融資由九智資本領投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場...

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      電子發燒友網報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后，因其優秀的特性，迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看，GaN已經在...

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      安世半導體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)

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      注冊開放，搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發

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