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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體技術

半導體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析

作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標簽：SiC GaN 半導體器件 1.2萬 0

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬 0

寬禁帶半導體是什么？

寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷...

2023-02-02 標簽：半導體 GaAs 寬禁帶半導體 8788 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優(yōu)勢？

GaN：由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。

2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導體 6764 0

碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么碳化硅技術壁壘有哪些

碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么碳化硅技術壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術...

2023-02-03 標簽：SiC 襯底碳化硅 4532 0

第四代寬禁帶半導體材料——氮化鎵

第一代半導體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導體材料；第二代半導體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導體材料

2023-02-23 標簽：射頻器件氧化鎵寬禁帶半導體 4267 0

氮化鎵是什么結構的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結構具有許多獨特的性質(zhì)和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質(zhì)和應用領域。結構：氮化鎵...

2024-01-10 標簽：氮化鎵金屬晶格 3817 0

氧化鎵的性能、應用和成本氧化鎵的應用領域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。

2023-02-22 標簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導體 3683 0

半導體技術的應用半導體技術的未來發(fā)展

晶體管收音機比電子管收音機小多了，可以隨身攜帶。但它是由晶體管、電阻、電容、磁性天線焊在一塊電路板上，相互之間由導線相連。體積還比較大，裝配工藝復雜。

2022-10-11 標簽：無線通信晶體管太陽電池 3443 0

硫化鋅寬禁帶材料的光學性能及其影響因素

不同方法制備ZnS材料的光學性能差別較大。CVT制備技術采用ZnS粉末原料和氣體輸運劑如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質(zhì)缺...

2022-07-07 標簽：寬禁帶半導體 3427 0

寬禁帶半導體帖子

三極管具有什么特性？

標簽：三極管寬禁帶半導體 2004 1

寬禁帶半導體資料下載

什么是第三代半導體及寬禁帶半導體立即下載

類別：電子資料 2023-02-27 標簽：半導體寬禁帶半導體第三代半導體 544 0

寬禁帶半導體資訊

8英寸SiC投產(chǎn)進展加速，2025年上量

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導體近日宣布，計劃投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導體的第一...

2024-07-01 標簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導體 2.4萬 0

第三代半導體技術、應用、市場全解析

寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于...

2016-12-05 標簽：半導體 SiC 寬禁帶半導體 4787 0

開關損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進軍光儲、家電市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后，因其優(yōu)秀的特性，迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看，GaN已經(jīng)在...

2024-07-04 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 4599 0

中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟團體標準評審會順利召開

　　12月11日，中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團體標準評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農(nóng)大廈3層會議室順利召開。此次評審...

2017-12-13 標簽：寬禁帶半導體 4192 0

駕馭狼的速度，泰克與忱芯強強聯(lián)手解決寬禁帶半導體測試難題

泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。

2021-11-08 標簽：示波器泰克連接器 3950 0

日企市場份額占比超9成，國內(nèi)第四代半導體材料加速突破

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關于第四代半導體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導體又被稱為寬...

2023-03-27 標簽：氮化鎵行業(yè)現(xiàn)狀寬禁帶半導體 3502 0

淺談寬禁帶半導體行業(yè)概況

對于寬禁帶半導體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設備控制都不一樣，要想做好這個行業(yè)的M...

2022-07-05 標簽：智能制造寬禁帶半導體半導體設備 3448 0

國內(nèi)家電市場年需電機超10億臺 BLDC電機滲透率有望持續(xù)提升

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/程文智）隨著高能效電機在汽車、農(nóng)業(yè)、空調(diào)和洗衣機等領域的廣泛使用，全球的電機市場得到了很大的增長。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 2684 0

資料大放送 | 2020英飛凌電源與傳感系統(tǒng)云端大會完美收官！

無論是開關電源、拓撲設計、寬禁帶半導體、兩輪車電氣化、高效儲能、5G電源等無處不在的基礎功率技術，還是智能樓宇、智能家居、雷達感知、語音交互等先鋒創(chuàng)新的...

2020-09-16 標簽：英飛凌開關電源傳感系統(tǒng) 2525 0

GaN加速商業(yè)化進程國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析

氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標簽：氮化鎵氮化鎵電源 GaN 2317 0

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