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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體技術

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導體技術的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。本文為白皮...

2025-01-05 標簽：安森美 SiC GaN 718 0

寬禁帶半導體材料有哪些

寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質，使其在許多高科技領域具有廣泛的應用。在現...

2024-07-31 標簽：激光器電子器件半導體材料 1251 0

驅動SiC MOSFET有多容易？

得益于寬禁帶半導體的材料優勢，SiCMOSFET在電力電子行業中的應用越來越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統Si基器件不同，對驅動設計也提出了更高...

2024-07-12 標簽：MOSFET 驅動 SiC 281 0

氮化鎵是什么結構的材料

氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質和應用領域。結構：氮化鎵...

2024-01-10 標簽：氮化鎵金屬晶格 3642 0

碳化硅肖特基二極管的優勢和應用領域

在當今快速發展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

2023-12-29 標簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導體 713 0

碳化硅功率器件的電氣性能優勢

SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...

2023-12-20 標簽：二極管功率器件氮化鎵 462 0

淺談英飛凌的碳化硅SiC戰略

在汽車和可再生能源領域，英飛凌已經獲得了重大的設計勝利，相關客戶的約10億歐元的預付款將有望在2024年和2025年的財政年度為其自由現金流做出貢獻。英...

2023-11-27 標簽：英飛凌 SiC GaN 388 0

關于對碳化硅誤解的描述

碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結晶。因此...

2023-09-22 標簽：MOSFET IGBT 硅晶圓 310 0

氮化鎵(GaN)技術創新概況氮化鎵襯底技術是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標簽：半導體材料氮化鎵 GaN 960 0

手性光子源芯片開創量子態操控和傳輸的新路徑

光子是量子力學的基本粒子之一。對光量子態的有效操控和調制，是量子計算、量子保密通信等應用的基石。手性光子源可以在光源芯片內實現對光量子態的原位調制，有利...

2023-08-21 標簽：存儲器顯微鏡量子計算 473 0

芯塔電子發布自主研發1700V/5Ω SiC MOSFET產品

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

2023-08-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC MOSFET 588 0

金剛石基光電探測及激光器應用研究

金剛石具有優良的光學性能，高質量 CVD 金剛石薄膜具有十分優良的光學性能，除 3~6 μm 范圍內的雙聲子區域存在晶格振動而產生的本征吸收峰外，在室溫...

2023-08-03 標簽：半導體激光器金剛石寬禁帶半導體 713 0

最有發展前途的寬禁帶半導體材料——金剛石基GaN問世

美國國防部高級研究計劃局(DARPA)微系統技術辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示，化合物半導體行業將很快進入第三波...

2023-07-17 標簽：GaN 金剛石寬禁帶半導體 542 0

森國科推出最小封裝碳化硅二極管具備高浪涌電流和雪崩能力

TO-220-2L封裝散熱效果最佳，但是相對來說占用空間； TO-252-2L封裝具備優秀的散熱能力，體積上也有一定的優勢，在應用場景上的利用率較高。

2023-07-13 標簽：二極管 pcb 電解電容 601 0

中科院8英寸SiC導電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。

2023-07-05 標簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導體 383 0

什么是寬禁帶半導體？

半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.0萬 0

功率二極管和功率晶體管的國內外研究總結

對 Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國內外最新研究進行了概括總結，展望了Ga2O3在未來的應用與發展前景。

2023-03-30 標簽：功率器件氧化鎵寬禁帶半導體 395 0

什么是GaN氮化鎵？GaN有何優勢？

GaN：由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。

2023-03-22 標簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導體 6721 0

一文解析氧化鎵襯底的長晶與外延工藝

氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制造P型半導體。近期斯坦福、復旦等團隊已在實驗室實現了氧化鎵P型器件，預計將逐步導入產業化應用。

2023-02-27 標簽：氧化鎵寬禁帶半導體 2270 0

寬禁帶半導體應用領域

　第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發展瓶頸，受到...

2023-02-23 標簽：新能源汽車微波通信寬禁帶半導體 2816 0

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