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      標簽　>　寬禁帶半導體

      寬禁帶半導體

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      寬禁帶半導體技術

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      簡述碳化硅材料特點及優勢

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      寬禁帶半導體是什么？

      寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷...

      2023-02-02 標簽：半導體GaAs寬禁帶半導體 8760 0

      寬禁帶半導體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰

      寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。

      2022-12-19 標簽：碳化硅寬禁帶半導體 2733 0

      使用導模法生長4英寸β-Ga2O3 氧化鎵單晶性能分析

      晶體生長使用的原料為氧化鎵粉末，純度99.999%，采用中頻感應加熱，銥金發熱體、銥金模具，銥 金坩堝周圍放置氧化鋯作為保溫材料。

      2022-11-23 標簽：二極管晶體氧化鎵 3138 0

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      2022-10-11 標簽：無線通信晶體管太陽電池 3416 0

      硫化鋅寬禁帶材料的光學性能及其影響因素

      不同方法制備ZnS材料的光學性能差別較大。CVT制備技術采用ZnS粉末原料和氣體輸運劑如HCl、NH4Cl或I2等，易在ZnS晶體中引入不同程度的雜質缺...

      2022-07-07 標簽：寬禁帶半導體 3382 0

      一文解讀！搶占寬禁帶半導體材料及應用的戰略制高點！

      半導體材料的研發與應用方興未艾，正在掀起新一輪的熱潮。

      2022-03-02 標簽：數據中心寬禁帶半導體 1075 0

      如何有效地檢測Sic MOSFETn方案

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      碳化硅二極管具有非常快速的恢復時間，這可提高開關速率，并減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，從而使最終產品具有更高的功率密度。

      2021-01-06 標簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導體 2705 0

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      【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證

      選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅動信號的上升時間為依據，儀器系統對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

      2020-08-11 標簽：SiCGaN泰克科技 1173 0

      半導體材料Si、SiC和GaN 優勢及瓶頸分析

      半導體材料Si、SiC和GaN 優勢及瓶頸分析

      作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。

      2020-09-11 標簽：SiCGaN半導體器件 1.2萬 0

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