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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體資訊

克服碳化硅制造挑戰，助力未來電力電子應用

幾十年來，硅（Si）一直是半導體行業的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展，硅的局限...

2024-10-24 標簽：電力電子 SiC GaN 210 0

鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資

杭州鎵仁半導體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時與杭州銀行達成重要戰略合作。本輪融資由九智資本領投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場...

2024-08-12 標簽：半導體寬禁帶半導體 641 0

開關損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進軍光儲、家電市場

電子發燒友網報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后，因其優秀的特性，迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看，GaN已經在...

2024-07-04 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 4601 0

西安電子科技大學馬曉華團隊：蹚出寬禁帶半導體技術創新之路

來源：西安電子科技大學 6月24日，2023年度國家科學技術獎在京揭曉，共評選出250個項目和12名科技專家。其中，國家最高科學技術獎2人，國家自然科學...

2024-07-02 標簽：寬禁帶半導體 455 0

8英寸SiC投產進展加速，2025年上量

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導體近日宣布，計劃投資2億美元研發下一代寬禁帶半導體產品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導體的第一...

2024-07-01 標簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導體 2.4萬 0

安世半導體斥資2億美元擴產德國基地，聚焦寬禁帶半導體技術

在全球半導體產業日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡...

2024-06-29 標簽：SiC 寬禁帶半導體安世半導體 599 0

安世半導體宣布2億美元投資，加速寬禁帶半導體研發與生產

在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達...

2024-06-28 標簽：碳化硅寬禁帶半導體安世半導體 663 0

安世半導體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)

半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮...

2024-06-28 標簽：SiC 碳化硅 Nexperia 946 0

安世半導體受邀參加2024第三代半導體技術與產業鏈創新發展論壇

在高頻高壓應用領域，寬禁帶材料不可替代的優勢正在加速相關產品的研發與落地應用。制造技術的進步，也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低，寬禁帶半導體的...

2024-06-19 標簽：MOSFET 寬禁帶半導體安世半導體 975 0

注冊開放，搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發

當今，氣候變化與如何應對持續增長的能源需求已經成為人類面臨的共同挑戰，而寬禁帶半導體高度契合節能減排需求，并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳...

2024-06-18 標簽：英飛凌能源寬禁帶半導體 403 0

理解寬禁帶半導體的重要性和挑戰

功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶...

2024-06-07 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 824 0

三安光電碳化硅業務迎來高成長契機

碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產品向下滲透?！艾F在售價為20萬元以上的800V電動汽車，碳化硅功率器件滲透率約為一半，可以全驅配置，或只配置主驅。

2024-04-11 標簽：電動汽車逆變器光伏發電系統 393 0

西電與極海微電子舉行產學研就校企合作簽約儀式

3月15日，西電與極海微電子股份有限公司在寬禁帶半導體國家工程研究中心舉行產學研就校企合作簽約儀式暨杰出校友成長奮斗故事分享會，

2024-03-20 標簽：微控制器集成電路寬禁帶半導體 1350 0

國內外碳化硅產品標準比對分析

碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數低及化學穩定性好等諸多優點，是具有廣闊發展潛力的第三代新型半導體材料。

2024-01-24 標簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導體 2163 0

三安與朗明納斯達成美洲獨家銷售協議，加速寬禁帶半導體市場拓展

據了解，三安半導體與朗明納斯均為三安光電集團的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權。

2024-01-12 標簽：SiC GaN 功率半導體 617 0

寬禁帶半導體技術的前沿發展有哪些

逆變器是將直流電轉換為交流電的電源電路。在應用設備中，為了實現節能，對小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實現逆變器的高速運行，已經提出使用寬帶...

2024-01-03 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 914 0

2023年半導體企業相關收購案有哪些？

2023年，半導體市場的逆風周期仍未過去，企業收并購的腳步卻不曾停歇。根據公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導體領域的國際收并購案例，發現20...

2023-12-19 標簽：英飛凌 eda 氮化鎵 1557 0

淺談寬禁帶半導體涉及到的幾個基礎問題

功率電子材料和器件研發基本與國際同步，GaN功率器件邁向更廣的應用領域，更全電壓等級，從當前100V/650V拓展到30V~1200V，可靠性升級實現從...

2023-12-05 標簽：led 功率器件 GaN 912 0

英諾賽科（蘇州）全球研發中心正式啟用

11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發中心正式啟用將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發基地同時開展大規模量產化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...

2023-11-22 標簽：氮化鎵寬禁帶半導體英諾賽科 927 0

國內碳化硅襯底生產企業盤點

在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。碳化硅襯底的生產流程包括長晶、...

2023-10-27 標簽：SiC 襯底碳化硅 2195 0

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