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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體資訊

8英寸SiC投產進展加速，2025年上量

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）聞泰科技旗下安世半導體近日宣布，計劃投資2億美元研發下一代寬禁帶半導體產品，包括SiC和GaN。與此同時，安世半導體的第一...

2024-07-01 標簽：功率器件 SiC 寬禁帶半導體 2.3萬 0

第三代半導體技術、應用、市場全解析

寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于...

2016-12-05 標簽：半導體 SiC 寬禁帶半導體 4774 0

開關損耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN開始進軍光儲、家電市場

電子發燒友網報道（文/黃山明）隨著以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料被推出以后，因其優秀的特性，迅速在多種電力電子設備中應用。目前來看，GaN已經在...

2024-07-04 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 4553 0

中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟團體標準評審會順利召開

　　12月11日，中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟（以下簡稱“寬禁帶聯盟”）團體標準評審會在北京市大興區天榮街9號世農大廈3層會議室順利召開。此次評審...

2017-12-13 標簽：寬禁帶半導體 4180 0

駕馭狼的速度，泰克與忱芯強強聯手解決寬禁帶半導體測試難題

泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰略合作聯盟，雙方將深度整合資源，優勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業鏈的產品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰。

2021-11-08 標簽：示波器泰克連接器 3940 0

日企市場份額占比超9成，國內第四代半導體材料加速突破

電子發燒友網報道（文/梁浩斌）最近國內關于第四代半導體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導體又被稱為寬...

2023-03-27 標簽：氮化鎵行業現狀寬禁帶半導體 3487 0

淺談寬禁帶半導體行業概況

對于寬禁帶半導體行業目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態形式、設備控制都不一樣，要想做好這個行業的M...

2022-07-05 標簽：智能制造寬禁帶半導體半導體設備 3430 0

國內家電市場年需電機超10億臺 BLDC電機滲透率有望持續提升

電子發燒友網報道（文/程文智）隨著高能效電機在汽車、農業、空調和洗衣機等領域的廣泛使用，全球的電機市場得到了很大的增長。據MarketsandMarke...

2021-11-21 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 2664 0

資料大放送 | 2020英飛凌電源與傳感系統云端大會完美收官！

無論是開關電源、拓撲設計、寬禁帶半導體、兩輪車電氣化、高效儲能、5G電源等無處不在的基礎功率技術，還是智能樓宇、智能家居、雷達感知、語音交互等先鋒創新的...

2020-09-16 標簽：英飛凌開關電源傳感系統 2520 0

GaN加速商業化進程國內GaN產業市場現狀及前景分析

氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優良材料，也是在藍色發光器件中具...

2023-09-07 標簽：氮化鎵氮化鎵電源 GaN 2294 0

國內碳化硅襯底生產企業盤點

在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。碳化硅襯底的生產流程包括長晶、...

2023-10-27 標簽：SiC 襯底碳化硅 2136 0

國內外碳化硅產品標準比對分析

碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數低及化學穩定性好等諸多優點，是具有廣闊發展潛力的第三代新型半導體材料。

2024-01-24 標簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導體 2115 0

寬禁帶半導體前景樂觀

對電子設備的需求激增正在推動半導體行業多個領域的增長。制造商通過使用非傳統產品和應用程序添加差異化服務來尋求競爭優勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙（WBG...

2022-08-05 標簽：電平轉換器 GaN 寬禁帶半導體 1741 0

2023年半導體企業相關收購案有哪些？

2023年，半導體市場的逆風周期仍未過去，企業收并購的腳步卻不曾停歇。根據公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導體領域的國際收并購案例，發現20...

2023-12-19 標簽：英飛凌 eda 氮化鎵 1544 0

納微半導體CTO登場SEMICON Taiwan 2021大會，介紹氮化鎵技術

　氮化鎵（GaN）是下一代半導體技術，它的器件開關速度比傳統硅器件快20倍。

2021-09-08 標簽：充電器氮化鎵寬禁帶半導體 1437 0

西電與極海微電子舉行產學研就校企合作簽約儀式

3月15日，西電與極海微電子股份有限公司在寬禁帶半導體國家工程研究中心舉行產學研就校企合作簽約儀式暨杰出校友成長奮斗故事分享會，

2024-03-20 標簽：微控制器集成電路寬禁帶半導體 1328 0

寬禁帶半導體廠商派恩杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022

2022中國電力電子與能量轉換大會?暨中國電源學會第二十五屆學術年會及展覽會（CPEECCPSSC 2022）2022年11月4-7日? 廣州白金合作...

2022-10-24 標簽：功率模塊碳化硅能量轉換 1282 0

寬禁帶半導體的潛力

追求更高效的電子產品以功率器件為中心，而半導體材料則處于研發活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導體材料。然而，今天，...

2022-08-08 標簽：功率器件半導體材料寬禁帶半導體 1261 0

國產碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體PCIM Asia 2023亮點回顧

8月29日-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（簡稱PCIM Asia）在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領先亞洲的電力電子展會，本屆...

2023-09-02 標簽：MOSFET 晶圓逆變器 1242 0

是德科技設計推出新一代高性能PXI模塊化測試平臺

SMU 源測量單元的概念始創于上個世紀50年代，隨著半導體工業的元器件以及各式新穎材料的開發。直到今天SMU （源測量單元）依舊是半導體分立元器件以及各...

2022-06-15 標簽：元器件是德科技寬禁帶半導體 1211 0

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