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標簽 > 寬禁帶半導體
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50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展
據2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM展)主辦方公布的信息,第三代半導體設計和方案商派恩杰半導體已確定參展,展位號E43。
中心新聞|補強汽車電子產業鏈,南京汽車電子芯機聯動產業聯盟成立
在全球范圍內,芯片短缺對汽車生產的影響持續擴大。當前形勢下,加速補齊關鍵汽車芯片自主供給體系迫在眉睫。
為第三代寬禁帶制造工藝提供支持,泰克新推S530系列參數測試系統
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術的新型半導體產品,有望實現更快的開關速度,更寬的溫度范圍,更好的功率效率,以及其他更多增強功能。
Cree Wolfspeed攜手泰克,共迎寬禁帶半導體器件發展契機與挑戰
Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰,共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
安世半導體受邀參加2024第三代半導體技術與產業鏈創新發展論壇
在高頻高壓應用領域,寬禁帶材料不可替代的優勢正在加速相關產品的研發與落地應用。制造技術的進步,也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低,寬禁帶半導體的...
英飛凌將投資逾20億歐元在馬來西亞居林前道工廠擴大寬禁帶半導體的產能,進一步增強市場領導地位
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導體的產能,進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的...
安世半導體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG)
半導體制造商Nexperia(安世半導體)近日宣布,計劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發下一代寬禁帶半導體產品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...
11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發基地同時開展大規模量產化工程問題研究提升氮化鎵材料與器...
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列,繼續擴充寬禁帶半導體產品
工業級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規級部件。
國際半導體市場研究機構Yole預測,到2027年,全球碳化硅功率器件市場規模有望達到約63億美元,其中新能源汽車碳化硅市場空間有望達到近50億美元,占比...
功率電子學在現代科技領域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認識并保證寬禁帶...
美國國防部為北卡羅來納州微電子共享區域創新中心CLAWS撥款3940萬美元
《半導體芯科技》編譯 來源:Semiconductor Today 北卡羅來納州立大學作為寬禁帶半導體區域創新中心的領導者,獲得美國國防部3940萬美元...
2023-10-09 標簽:寬禁帶半導體 711 0
安集科技攜"芯"而來,亮相IC China 2022
革新技術,共同推進集成電路產業發展 上海2022年11月18日 /美通社/ -- 為了進一步加強全球集成電路產業鏈供應鏈交流與合作,展示集成電路產業最新...
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導體,屬于所謂寬禁帶半導體之列。它是微波功率晶體管的優良材料,也是藍色光發光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。
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