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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體資訊

英飛凌將投資逾20億歐元在馬來西亞居林前道工廠擴大寬禁帶半導體的產能，進一步增強市場領導地位

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的...

2022-02-21 標簽：英飛凌碳化硅寬禁帶半導體 933 0

國內家電市場年需電機超10億臺 BLDC電機滲透率有望持續(xù)提升

電子發(fā)燒友網報道（文/程文智）隨著高能效電機在汽車、農業(yè)、空調和洗衣機等領域的廣泛使用，全球的電機市場得到了很大的增長。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 2664 0

駕馭狼的速度，泰克與忱芯強強聯(lián)手解決寬禁帶半導體測試難題

泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產業(yè)鏈的產品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。

2021-11-08 標簽：示波器泰克連接器 3940 0

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列，繼續(xù)擴充寬禁帶半導體產品

工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現(xiàn)已開始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車規(guī)級部件。

2021-11-05 標簽：碳化硅 Nexperia 車載充電器 845 0

納微半導體CTO登場SEMICON Taiwan 2021大會，介紹氮化鎵技術

　氮化鎵（GaN）是下一代半導體技術，它的器件開關速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。

2021-09-08 標簽：充電器氮化鎵寬禁帶半導體 1437 0

50余款達國際一流水平的國產SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及應用DEMO即將亮相PCIM展

據(jù)2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（PCIM展）主辦方公布的信息，第三代半導體設計和方案商派恩杰半導體已確定參展，展位號E43。

2021-08-25 標簽：SiC 電力元件車載充電機 1200 0

中心新聞|補強汽車電子產業(yè)鏈，南京汽車電子芯機聯(lián)動產業(yè)聯(lián)盟成立

在全球范圍內，芯片短缺對汽車生產的影響持續(xù)擴大。當前形勢下，加速補齊關鍵汽車芯片自主供給體系迫在眉睫。

2021-05-24 標簽：集成電路新能源汽車汽車電子 1136 0

Cree Wolfspeed攜手泰克，共迎寬禁帶半導體器件發(fā)展契機與挑戰(zhàn)

Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰(zhàn)，共同促進寬禁帶半導體行業(yè)的發(fā)展。

2020-12-21 標簽：新能源汽車泰克 SiC 976 0

致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優(yōu)化驗證

第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關器件既能實現(xiàn)低開關損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉換，...

2020-10-30 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 610 0

為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)

基于新興GaN和SiC寬禁帶技術的新型半導體產品，有望實現(xiàn)更快的開關速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。

2020-10-23 標簽：泰克混合信號測試系統(tǒng) 1010 0

資料大放送 | 2020英飛凌電源與傳感系統(tǒng)云端大會完美收官！

無論是開關電源、拓撲設計、寬禁帶半導體、兩輪車電氣化、高效儲能、5G電源等無處不在的基礎功率技術，還是智能樓宇、智能家居、雷達感知、語音交互等先鋒創(chuàng)新的...

2020-09-16 標簽：英飛凌開關電源傳感系統(tǒng) 2519 0

助攻電源創(chuàng)新設計，泰克第二個電源主題實驗室上線

泰克科技密切跟蹤最新技術的進展，為工程師們提供卓越的測試解決方案。

2020-06-29 標簽：功率器件 SiC GaN 761 0

中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟團體標準評審會順利召開

　　12月11日，中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團體標準評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農大廈3層會議室順利召開。此次評審...

2017-12-13 標簽：寬禁帶半導體 4180 0

第三代半導體技術、應用、市場全解析

寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于...

2016-12-05 標簽：半導體 SiC 寬禁帶半導體 4774 0

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