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寬禁帶半導體

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寬禁帶半導體資訊

簡述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 1

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個...

2023-02-10 標簽：MOSFET SiC 寬禁帶半導體 681 0

安世半導體宣布2億美元投資，加速寬禁帶半導體研發與生產

在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創新和產品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達...

2024-06-28 標簽：碳化硅寬禁帶半導體安世半導體 663 0

西安郵電大學在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進展

氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。

2023-03-13 標簽：功率器件硅片外延片 654 0

鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資

杭州鎵仁半導體有限公司近日宣布成功完成近億元的Pre-A輪融資，同時與杭州銀行達成重要戰略合作。本輪融資由九智資本領投，普華資本鼎力參與，彰顯了資本市場...

2024-08-12 標簽：半導體寬禁帶半導體 641 0

致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證

第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現，推動著功率電子行業發生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉換，...

2020-10-30 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 622 0

三安與朗明納斯達成美洲獨家銷售協議，加速寬禁帶半導體市場拓展

據了解，三安半導體與朗明納斯均為三安光電集團的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權。

2024-01-12 標簽：SiC GaN 功率半導體 617 0

安世半導體斥資2億美元擴產德國基地，聚焦寬禁帶半導體技術

在全球半導體產業日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現了其前瞻性的戰略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡...

2024-06-29 標簽：SiC 寬禁帶半導體安世半導體 599 0

西安電子科技大學馬曉華團隊：蹚出寬禁帶半導體技術創新之路

來源：西安電子科技大學 6月24日，2023年度國家科學技術獎在京揭曉，共評選出250個項目和12名科技專家。其中，國家最高科學技術獎2人，國家自然科學...

2024-07-02 標簽：寬禁帶半導體 455 0

注冊開放，搶占坐席 | 英飛凌寬禁帶論壇全日程首發

當今，氣候變化與如何應對持續增長的能源需求已經成為人類面臨的共同挑戰，而寬禁帶半導體高度契合節能減排需求，并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳...

2024-06-18 標簽：英飛凌能源寬禁帶半導體 403 0

三安光電碳化硅業務迎來高成長契機

碳化硅功率器件及模塊正加速從高端產品向下滲透。“現在售價為20萬元以上的800V電動汽車，碳化硅功率器件滲透率約為一半，可以全驅配置，或只配置主驅。

2024-04-11 標簽：電動汽車逆變器光伏發電系統 393 0

8英寸碳化硅襯底已實現小批量銷售

前來看，在未來一段時間內，6英寸導電型產品將作為主流尺寸，但隨著技術的進步、基于成本和下游應用領域等因素考慮，8英寸導電型碳化硅產品將是碳化硅襯底行業的...

2023-09-12 標簽：英飛凌晶圓碳化硅 352 0

馬斯克的攪局碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

從去年至今，我國氧化鎵半導體制備技術已經屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底，再到最新的8英寸外延片，我國氧化鎵半導體制備技術越來越成熟。

2023-10-25 標簽：晶圓氮化鎵碳化硅 278 0

克服碳化硅制造挑戰，助力未來電力電子應用

幾十年來，硅（Si）一直是半導體行業的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展，硅的局限...

2024-10-24 標簽：電力電子 SiC GaN 210 0

寬禁帶半導體可以改進可再生能源設計嗎

隨著全球對能源生產與消費問題愈發重視，可再生能源解決方案已成為大家關注的焦點。更加頻繁的極端天氣事件等與氣候變化相關的挑戰迫使整個社會不得不重新思考其與...

2023-02-02 標簽：IGBT 可再生能源寬禁帶半導體 182 0

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