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標簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性。實際上，一個電容等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯，在低頻情況下表現不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
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MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實現對電流的控制。當柵極電壓達到一定閾值時，通道電阻迅速減小，形成導電通道，使得...
LLC（Light Load Control）是一種在低負載條件下保持高效率的控制策略，廣泛應用于開關電源、LED驅動等領域。然而，在LLC關斷時，由于...
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內部由于結構原因產生的電容，這些電容會影響IGBT的...
?這篇文章并非是現在寫的，而是三年前，文章中的方法是我常用的，再次分享給兄弟們。 ? 輸入阻抗，輸出阻抗，這兩個參數似乎沒那么重要，但事實并非如此。下面...
非平衡電橋通常指的是在測量時電橋沒有達到完全平衡狀態的電橋。立式橋和臥式橋是指電橋的物理布局，其中立式橋的元件垂直排列，而臥式橋的元件水平排列。
硅片是半導體制造的基礎，絕大多數的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。
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瑤芯榮獲“中國IC設計成就獎-年度最佳傳感器/MEMS獎項”
2024 IIC國際集成電路展覽會今日在上海張江科學會堂盛大閉幕。瑤芯作為國內功率器件和數模混合信號鏈芯片產品的領軍企業，攜MEMS、IGBT、SiC ...
碳納米管晶體管兼容已有半導體制程工藝，解決碳納米管均勻可控摻雜難題
研究中，他們提出了一種頂柵互補碳納米管金屬-氧化物-半導體場效應晶體管結構（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...
寄生電容對MOS管快速關斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應用于許多電子設...
低溫對電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進步和應用范圍的不斷擴大，人們對于電子元器件的質量和可靠性要求也越來越高，因為電子...
而當狀態發生變化時，暫時會有Q3和Q4管同時導通，這時在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產生了30～100 mA的尖峰電流。當門輸出電平從低變為高時，電...
近年來，太赫茲（THz）技術已經成為第六代（6G）無線通信、雷達探測、光譜成像和生物醫學傳感等領域的研究熱點。
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