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導(dǎo)通損耗

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導(dǎo)通損耗技術(shù)

減少開(kāi)關(guān)電源的導(dǎo)通損耗是提升電源效率、降低能耗的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。導(dǎo)通損耗主要來(lái)源于電流通過(guò)開(kāi)關(guān)管、導(dǎo)線、二極管等元件時(shí)產(chǎn)生的功率損失。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)探討...

2024-08-07 標(biāo)簽：二極管開(kāi)關(guān)電源導(dǎo)通損耗 663 0

IGBT模塊理論研究：IGBT三相逆變電路分析

芯片結(jié)溫計(jì)算，需要獲取芯片的損耗，損耗的準(zhǔn)確性，決定了計(jì)算芯片結(jié)溫的準(zhǔn)確性。

2024-02-22 標(biāo)簽：IGBT SPWM 三相逆變 2676 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽：二極管 MOSFET IGBT 939 0

MOS管導(dǎo)通損耗的計(jì)算方法

MOS 管計(jì)算導(dǎo)通損耗時(shí)，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？

2023-07-19 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通電阻輸出電流 2815 0

深度剖析開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的各種損耗

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2023-01-29 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗導(dǎo)通損耗 763 0

GaN轉(zhuǎn)變充電器設(shè)計(jì)方案詳解

氮化鎵（GaN）開(kāi)關(guān)技術(shù)使充電器和適配器的小型化取得了進(jìn)步。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開(kāi)發(fā)可在高開(kāi)關(guān)頻率下工作的轉(zhuǎn)換器。GaN減小了變壓器的尺寸...

2021-04-07 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源開(kāi)關(guān)AC-DC 3870 0

電源適配器設(shè)計(jì)計(jì)算23步驟，你知道多少？

適配器設(shè)計(jì)計(jì)算23步驟12V1.5A方案設(shè)計(jì) Ae值小效率低溫度高，磁芯面積小扇熱差，罐裝磁芯輻射好，長(zhǎng)寬磁芯漏感小。

2017-10-27 標(biāo)簽：電源管理適配器導(dǎo)通損耗 2.1萬(wàn) 0

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