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      標簽　>　開關(guān)損耗

      開關(guān)損耗

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      文章：52個 瀏覽：13508次 帖子：12個

      開關(guān)損耗技術(shù)

      MOS管的開關(guān)損耗計算

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      CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。

      2023-07-17 標簽：開關(guān)電源MOS管DCM 1.4萬 0

      幾種典型的軟開關(guān)電路分享

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      2023-04-11 標簽：變壓器開關(guān)電路濾波器 1.3萬 0

      開關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計要求與要求

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      1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載,重載,容性負載),輸出短路,動態(tài)負載,高溫等情

      2017-09-24 標簽：變壓器電源管理開關(guān)損耗 1.1萬 0

      通過AI嵌入實現(xiàn)EV范圍提高多達12％

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      Pre-Switch通過將AI嵌入到FPGA中來解決這一挑戰(zhàn)，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時序，如圖1所示為S1和S2。

      2021-03-16 標簽：fpgaAI開關(guān)損耗 9601 0

      入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例

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      對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...

      2018-07-04 標簽：MOSFETSiC開關(guān)損耗 9599 0

      基于CMM下開關(guān)損耗和反激開關(guān)損耗分析以及公式計算

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      2018-01-13 標簽：cmm開關(guān)損耗 9466 0

      MOSFET開關(guān)損耗的計算方法

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      MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時將會導致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

      2023-03-26 標簽：電源MOSFET電容 8748 0

      全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

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      在調(diào)寬狀態(tài)當占空比較小的時候，由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動信號有很長一段時間處于低電平，諧振電流只能流過MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

      2023-03-30 標簽：MOS管LLC功率電路 7896 0

      開關(guān)損耗測試在電源調(diào)試中重要作用

      MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗...

      2017-11-10 標簽：開關(guān)電源電源管理開關(guān)損耗 6643 0

      開關(guān)損耗的準確測量

      開關(guān)損耗的準確測量

      一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。

      2019-07-31 標簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 6282 0

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      開關(guān)損耗資料下載

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      開關(guān)損耗資訊

      理解MOSFET開關(guān)損耗和主導參數(shù)

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      175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

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      2019-06-26 標簽：開關(guān)損耗 894 0

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      2023-05-04 標簽：MOSFETSiC開關(guān)損耗 642 0

      差分探頭在測量開關(guān)損耗中的應(yīng)用

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      2024-08-09 標簽：差分探頭開關(guān)損耗 308 0

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