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開(kāi)關(guān)損耗

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開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)

影響MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的因素

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)關(guān)...

2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)損耗 874 0

一文讀懂MOSFET開(kāi)關(guān)損耗介紹

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MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線(xiàn)性模式和開(kāi)關(guān)模式。在線(xiàn)性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過(guò)通道,但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過(guò)通道...

2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)損耗 1323 0

如何使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗

電源開(kāi)關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標(biāo),它反映了開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...

2024-05-27 標(biāo)簽:示波器電源開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)損耗 1129 0

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開(kāi)關(guān)損耗影響的評(píng)估

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過(guò)去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型,它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時(shí),這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽:安森美SiC熱仿真 1808 0

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么?

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Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間,MOS管24V時(shí)帶載27歐,輸出功率21.3W,輸出電壓正常,MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一:MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

2023-12-11 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)限流電阻開(kāi)關(guān)損耗 894 0

功率MOSFET管應(yīng)用問(wèn)題匯總

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問(wèn)題1:在功率MOSFET管應(yīng)用中,主要考慮哪些參數(shù)?在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算,通常取多少比較好?相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì),銅箔面積布設(shè)多大散...

2023-12-03 標(biāo)簽:負(fù)載開(kāi)關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 1058 0

如何平衡MOSFET提高電源效率的優(yōu)化方案

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MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成;開(kāi)關(guān)...

2023-11-15 標(biāo)簽:MOSFET變換器寄生電容 587 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

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由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。

2023-08-25 標(biāo)簽:二極管MOSFETIGBT 952 0

詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗

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要比喻的話(huà),三極管像綠皮車(chē),MOS管像高鐵。

2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3429 0

MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)MOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用,尤其是在高頻電路中,比如開(kāi)關(guān)電源,逆變電路等。

2023-07-23 標(biāo)簽:MOSFETMOS管功率損耗 4224 0

MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

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CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2023-07-17 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管DCM 1.4萬(wàn) 0

一文徹底了解MOS管

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2023-07-05 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 4436 0

DC-DC開(kāi)關(guān)頻率的選擇(2)

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引言:上節(jié)(傳送門(mén):DC-DC-21:如何選擇DC-DC的開(kāi)關(guān)頻率-1簡(jiǎn)述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素,本節(jié)簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)頻率的另一個(gè)選擇考...

2023-07-04 標(biāo)簽:PCBDC-DC開(kāi)關(guān)頻率 2579 0

影響電源效率提升的主要損耗

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效率一直以來(lái)都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn),尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如,適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來(lái),第三代GaN半導(dǎo)...

2023-06-23 標(biāo)簽:MOSFET服務(wù)器GaN 1140 0

幾種典型的軟開(kāi)關(guān)電路分享

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目前電力電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)都是小型化,同時(shí)對(duì)裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設(shè)備向著高頻化的方向發(fā)展,這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...

2023-04-11 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電路濾波器 1.3萬(wàn) 0

MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例

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MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...

2023-04-10 標(biāo)簽:ledMOSFET晶圓 688 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

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在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候,由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平,諧振電流只能流過(guò)MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標(biāo)簽:MOS管LLC功率電路 7897 0

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法

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MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗,這些損耗可以分為兩類(lèi)。

2023-03-26 標(biāo)簽:電源MOSFET電容 8749 0

IGBT損耗和溫度估算

為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...

2023-03-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管損耗 3041 0

IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

近幾年主流芯片制造廠(chǎng)商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問(wèn)世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開(kāi)關(guān)損耗等權(quán)衡...

2023-03-08 標(biāo)簽:芯片模塊半導(dǎo)體 2733 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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