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標(biāo)簽 > 開(kāi)關(guān)損耗
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MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)關(guān)...
2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)損耗 874 0
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線(xiàn)性模式和開(kāi)關(guān)模式。在線(xiàn)性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過(guò)通道,但通道電阻相對(duì)較高。通道上的電壓和通過(guò)通道...
2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)損耗 1323 0
如何使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗
電源開(kāi)關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標(biāo),它反映了開(kāi)關(guān)器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗對(duì)于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...
2024-05-27 標(biāo)簽:示波器電源開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)損耗 1129 0
使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對(duì)開(kāi)關(guān)損耗影響的評(píng)估
過(guò)去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型,它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當(dāng)涉及到功率器件時(shí),這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...
Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間,MOS管24V時(shí)帶載27歐,輸出功率21.3W,輸出電壓正常,MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一:MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...
2023-12-11 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)限流電阻開(kāi)關(guān)損耗 894 0
問(wèn)題1:在功率MOSFET管應(yīng)用中,主要考慮哪些參數(shù)?在負(fù)載開(kāi)關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算,通常取多少比較好?相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì),銅箔面積布設(shè)多大散...
2023-12-03 標(biāo)簽:負(fù)載開(kāi)關(guān)功率MOSFET管MOSFET管 1058 0
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率,設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間,由于電流流過(guò)導(dǎo)通電阻而造成;開(kāi)關(guān)...
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話(huà),三極管像綠皮車(chē),MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3429 0
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管DCM 1.4萬(wàn) 0
引言:上節(jié)(傳送門(mén):DC-DC-21:如何選擇DC-DC的開(kāi)關(guān)頻率-1簡(jiǎn)述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素,本節(jié)簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)頻率的另一個(gè)選擇考...
2023-07-04 標(biāo)簽:PCBDC-DC開(kāi)關(guān)頻率 2579 0
效率一直以來(lái)都是電源領(lǐng)域的研究重點(diǎn),尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如,適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來(lái),第三代GaN半導(dǎo)...
目前電力電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)都是小型化,同時(shí)對(duì)裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。 設(shè)備向著高頻化的方向發(fā)展,這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...
2023-04-11 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電路濾波器 1.3萬(wàn) 0
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...
在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候,由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平,諧振電流只能流過(guò)MOS管的體二極管。一旦諧振電流...
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法
MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗,這些損耗可以分為兩類(lèi)。
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...
近幾年主流芯片制造廠(chǎng)商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問(wèn)世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開(kāi)關(guān)損耗等權(quán)衡...
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