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開關損耗技術

探討高輸出電流應用時的注意事項其1

上一篇文章介紹了輸入電壓升高時損耗增加的部分、注意事項及相應的對策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應用時應該注意的兩個事項之一。探討高輸出電流應用時的注...

2023-02-23 標簽：MOSFET 輸出電流開關損耗 806 0

DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉換器的開關損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗：見文識意，開關損耗就是開關工...

2023-02-23 標簽：MOSFET 降壓轉換器開關損耗 1058 0

通過驅動器源極引腳將開關損耗降低約35%

－接下來，請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引...

2023-02-16 標簽：驅動器引腳開關損耗 739 0

通過驅動器源極引腳改善開關損耗-電路板布線布局相關的注意事項

本文的關鍵要點?由于具有驅動器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同，因此在圖案布局時需要注意。

2023-02-09 標簽：驅動器電路板布線 647 0

通過驅動器源極引腳改善開關損耗-有無驅動器源極引腳的差異及其效果

本文的關鍵要點?具備驅動器源極引腳，可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。?具備驅動器源極引腳，可以提高導通速度。

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅動器引腳 710 0

通過驅動器源極引腳改善開關損耗-傳統的MOSFET驅動方法

MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的...

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅動器 IGBT 1123 0

全SiC功率模塊的開關損耗

全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優勢。

2023-02-08 標簽：IGBT SiC 功率模塊 1078 0

深度剖析開關電源內部的各種損耗

開關電源內部主要損耗要提高開關電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關電源內部的損耗大致可分為四個方面：開關損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

2023-01-29 標簽：開關電源開關損耗導通損耗 772 0

MOS管怎么用？從認識米勒效應、開關損耗、參數匹配及選型入手

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2022-10-25 標簽：三極管 MOSFET MOS管 1898 0

PFC MOSFET的開關損耗測試方案

MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗...

2022-10-19 標簽：MOSFET MOS管 PFC 2075 0

IGBT管的功耗講解

通態損耗Ps。大體來講，通態損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即：Ps=Ic*Uces。

2022-10-13 標簽：IGBT 續流二極管開關損耗 2691 0

有源鉗位反激轉換器如何比傳統QRF運行得更快

QRF 功率轉換器是 150W 或更低輸出功率范圍內的低功率離線應用的熱門選擇，原因有很多

2022-08-10 標簽：轉換器電源轉換器開關損耗 5638 0

終端區域對開關損耗的物理分析

盡管硅是電子產品中使用最廣泛的半導體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在高功率應用中。帶隙是基于半導體的電路的一個相關因素，因為高帶隙在高溫、電壓...

2022-07-29 標簽：MOSFET 開關損耗 1264 0

IGBT開關損耗產生的原因與PiN二極管的正向恢復特性

大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關損耗，我們都知道IGBT開關損耗產生的原因是開關暫態過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功...

2022-04-19 標簽：二極管 IGBT 開關損耗 4826 0

通過AI嵌入實現EV范圍提高多達12％

Pre-Switch通過將AI嵌入到FPGA中來解決這一挑戰，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時序，如圖1所示為S1和S2。

2021-03-16 標簽：fpga AI 開關損耗 9601 0

提升電源效率帶LLC的PFC常規模擬控制設計解決方案

最近幾十年，電源的效率要求發展迅猛，與曾經教科書中描述的要求大相徑庭，實現既定額定條件下的高效率只是設計的第一步，而真正完全合格且具有競爭力的電源設計必...

2020-12-18 標簽：電源設計 EMI濾波器 LLC 5751 0

關于開關節點產生的開關損耗問題探討

同步整流降壓轉換器的同步開關（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓進行切換（ON/OFF），該過渡時間的功率乘以開關頻率后的值即開關損耗。

2020-04-06 標簽：降壓轉換器開關損耗 1057 0

開關損耗的準確測量

一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。

2019-07-31 標簽：開關電源開關損耗 6282 0

如何準確的測量開關損耗

一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。...

2019-06-27 標簽：開關電源開關損耗 2411 0

入了解SiC MOSFET實現建議和解決方案示例

對于電網轉換、電動汽車或家用電器等高功率應用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優勢，包括更快的開關速度、更高的電流密...

2018-07-04 標簽：MOSFET SiC 開關損耗 9599 0

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