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開關(guān)損耗

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開關(guān)損耗技術(shù)

如何準確的測量開關(guān)損耗

一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

2019-06-27 標簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗 2411 0

PFC MOSFET的開關(guān)損耗測試方案

MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗...

2022-10-19 標簽：MOSFET MOS管 PFC 2075 0

MOS管怎么用？從認識米勒效應、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2022-10-25 標簽：三極管 MOSFET MOS管 1898 0

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對開關(guān)損耗影響的評估

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標簽：安森美 SiC 熱仿真 1808 0

一文讀懂MOSFET開關(guān)損耗介紹

MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道...

2024-06-13 標簽：MOSFET 晶體管開關(guān)損耗 1323 0

終端區(qū)域?qū)﹂_關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在高功率應用中。帶隙是基于半導體的電路的一個相關(guān)因素，因為高帶隙在高溫、電壓...

2022-07-29 標簽：MOSFET 開關(guān)損耗 1264 0

影響電源效率提升的主要損耗

效率一直以來都是電源領(lǐng)域的研究重點，尤其在一些小體積高功率密度的電源系統(tǒng)中尤為重要。比如，適配器電源、模塊電源、服務(wù)器用電源等。近年來，第三代GaN半導...

2023-06-23 標簽：MOSFET 服務(wù)器 GaN 1140 0

如何使用示波器測量電源開關(guān)損耗

電源開關(guān)損耗是電子電路中一個重要的性能指標，它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準確測量電源開關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設(shè)計、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。...

2024-05-27 標簽：示波器電源開關(guān)開關(guān)損耗 1129 0

通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動方法

MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的...

2023-02-09 標簽：MOSFET 驅(qū)動器 IGBT 1123 0

開關(guān)損耗測量中時間偏移對測量結(jié)果的影響分析

開關(guān)器件的功率損耗是開關(guān)器件評估的重要環(huán)節(jié)，也是許多示波器選配的高級分析功能。事實上，雖然很多實驗室配備了功率損耗程度測量環(huán)境，對設(shè)備和探頭也投入不菲，...

2018-02-07 標簽：開關(guān)損耗 1089 0

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢。

2023-02-08 標簽：IGBT SiC 功率模塊 1078 0

DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工...

2023-02-23 標簽：MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 1058 0

功率MOSFET管應用問題匯總

問題1：在功率MOSFET管應用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散...

2023-12-03 標簽：負載開關(guān)功率MOSFET管 MOSFET管 1058 0

關(guān)于開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗問題探討

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓進行切換（ON/OFF），該過渡時間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。

2020-04-06 標簽：降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 1057 0

MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別

由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。

2023-08-25 標簽：二極管 MOSFET IGBT 951 0

mos管帶載不到十秒鐘就冒煙的原因是什么？

Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)...

2023-12-11 標簽：電路設(shè)計限流電阻開關(guān)損耗 894 0

影響MOSFET開關(guān)損耗的因素

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管）的開關(guān)...

2024-09-14 標簽：MOSFET 半導體開關(guān)損耗 874 0

探討高輸出電流應用時的注意事項其1

上一篇文章介紹了輸入電壓升高時損耗增加的部分、注意事項及相應的對策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應用時應該注意的兩個事項之一。探討高輸出電流應用時的注...

2023-02-23 標簽：MOSFET 輸出電流開關(guān)損耗 806 0

深度剖析開關(guān)電源內(nèi)部的各種損耗

開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個方面：開關(guān)損耗、導通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...

2023-01-29 標簽：開關(guān)電源開關(guān)損耗導通損耗 772 0

通過驅(qū)動器源極引腳將開關(guān)損耗降低約35%

－接下來，請您介紹一下驅(qū)動器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請您對使用了驅(qū)動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅(qū)動器源極引...

2023-02-16 標簽：驅(qū)動器引腳開關(guān)損耗 739 0

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