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開(kāi)關(guān)損耗

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開(kāi)關(guān)損耗技術(shù)

MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2023-07-17 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS管 DCM 1.4萬(wàn) 0

幾種典型的軟開(kāi)關(guān)電路分享

目前電力電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)都是小型化，同時(shí)對(duì)裝置的效率和電磁兼容性有著很高的要求。設(shè)備向著高頻化的方向發(fā)展，這樣可以減小濾波器、變壓器等器件的體積和重...

2023-04-11 標(biāo)簽：變壓器開(kāi)關(guān)電路濾波器 1.3萬(wàn) 0

開(kāi)關(guān)電源調(diào)試一般設(shè)計(jì)要求與要求

1.變壓器飽和變壓器飽和現(xiàn)象在高壓或低壓輸入下開(kāi)機(jī)(包含輕載,重載,容性負(fù)載),輸出短路,動(dòng)態(tài)負(fù)載,高溫等情

2017-09-24 標(biāo)簽：變壓器電源管理開(kāi)關(guān)損耗 1.1萬(wàn) 0

通過(guò)AI嵌入實(shí)現(xiàn)EV范圍提高多達(dá)12％

Pre-Switch通過(guò)將AI嵌入到FPGA中來(lái)解決這一挑戰(zhàn)，該FPGA用于精確控制輔助諧振晶體管的時(shí)序，如圖1所示為S1和S2。

2021-03-16 標(biāo)簽：fpga AI 開(kāi)關(guān)損耗 9601 0

入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例

對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流密...

2018-07-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 開(kāi)關(guān)損耗 9599 0

基于CMM下開(kāi)關(guān)損耗和反激開(kāi)關(guān)損耗分析以及公式計(jì)算

1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。

2018-01-13 標(biāo)簽：cmm 開(kāi)關(guān)損耗 9466 0

MOSFET開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開(kāi)關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標(biāo)簽：電源 MOSFET 電容 8749 0

全橋LLC電路移相發(fā)波原理詳解

在調(diào)寬狀態(tài)當(dāng)占空比較小的時(shí)候，由圖 2可知調(diào)寬橋臂MOS管Sa和Sb的驅(qū)動(dòng)信號(hào)有很長(zhǎng)一段時(shí)間處于低電平，諧振電流只能流過(guò)MOS管的體二極管。一旦諧振電流...

2023-03-30 標(biāo)簽：MOS管 LLC 功率電路 7896 0

開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試在電源調(diào)試中重要作用

MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗...

2017-11-10 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電源管理開(kāi)關(guān)損耗 6643 0

開(kāi)關(guān)損耗的準(zhǔn)確測(cè)量

一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。

2019-07-31 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗 6282 0

提升電源效率帶LLC的PFC常規(guī)模擬控制設(shè)計(jì)解決方案

最近幾十年，電源的效率要求發(fā)展迅猛，與曾經(jīng)教科書(shū)中描述的要求大相徑庭，實(shí)現(xiàn)既定額定條件下的高效率只是設(shè)計(jì)的第一步，而真正完全合格且具有競(jìng)爭(zhēng)力的電源設(shè)計(jì)必...

2020-12-18 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)EMI濾波器 LLC 5751 0

有源鉗位反激轉(zhuǎn)換器如何比傳統(tǒng)QRF運(yùn)行得更快

QRF 功率轉(zhuǎn)換器是 150W 或更低輸出功率范圍內(nèi)的低功率離線應(yīng)用的熱門(mén)選擇，原因有很多

2022-08-10 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源轉(zhuǎn)換器開(kāi)關(guān)損耗 5638 0

IGBT開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性

大家好，這期我們?cè)倭囊幌翴GBT的開(kāi)關(guān)損耗，我們都知道IGBT開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開(kāi)關(guān)暫態(tài)過(guò)程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會(huì)釋放功...

2022-04-19 標(biāo)簽：二極管 IGBT 開(kāi)關(guān)損耗 4826 0

一文徹底了解MOS管

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2023-07-05 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 4436 0

MOS管的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算

MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開(kāi)關(guān)電源，逆變電路等。

2023-07-23 標(biāo)簽：MOSFET MOS管功率損耗 4224 0

詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗

要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。

2023-08-21 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 3429 0

IGBT損耗和溫度估算

為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...

2023-03-06 標(biāo)簽：IGBT 晶體管損耗 3041 0

IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

近幾年主流芯片制造廠商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問(wèn)世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，飽和壓降，開(kāi)關(guān)損耗等權(quán)衡...

2023-03-08 標(biāo)簽：芯片模塊半導(dǎo)體 2732 0

IGBT管的功耗講解

通態(tài)損耗Ps。大體來(lái)講，通態(tài)損耗等于集電極電流和IGBT管飽和壓降的乘積即：Ps=Ic*Uces。

2022-10-13 標(biāo)簽：IGBT 續(xù)流二極管開(kāi)關(guān)損耗 2691 0

DC-DC開(kāi)關(guān)頻率的選擇(2)

引言：上節(jié)（傳送門(mén)：DC-DC-21：如何選擇DC-DC的開(kāi)關(guān)頻率-1簡(jiǎn)述了DC-DC的工作頻率定義和基本的頻率影響因素，本節(jié)簡(jiǎn)述開(kāi)關(guān)頻率的另一個(gè)選擇考...

2023-07-04 標(biāo)簽：PCB DC-DC 開(kāi)關(guān)頻率 2579 0

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智慧城市就是運(yùn)用信息和通信技術(shù)手段感測(cè)、分析、整合城市運(yùn)行核心系統(tǒng)的各項(xiàng)關(guān)鍵信息，從而對(duì)包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動(dòng)在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
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pt100是鉑熱電阻，它的阻值會(huì)隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時(shí)阻值為100歐姆，在100℃時(shí)它的阻值約為138.5歐姆。
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