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開關(guān)損耗

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開關(guān)損耗資訊

差分探頭在測量開關(guān)損耗中的應(yīng)用

開關(guān)損耗是電力電子設(shè)備中的一個重要性能指標(biāo)，它直接影響到設(shè)備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測量工具，在開關(guān)損耗的測量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介...

2024-08-09 標(biāo)簽：差分探頭開關(guān)損耗 308 0

SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

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2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 開關(guān)損耗 642 0

利用示波器探頭進行開關(guān)損耗測試

如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時在On或Of...

2022-06-20 標(biāo)簽：MOSFET 示波器探頭 2107 0

深度剖析半導(dǎo)體熱阻數(shù)據(jù)

半導(dǎo)體器件并不完美——所有二極管和晶體管都因開關(guān)和導(dǎo)通而產(chǎn)生功率損耗。開關(guān)損耗發(fā)生在結(jié)的通斷狀態(tài)之間的間隔期間，此時器件端子上既有電壓又有電流流過。傳導(dǎo)...

2022-04-21 標(biāo)簽：電子設(shè)備半導(dǎo)體器件開關(guān)損耗 3581 0

開關(guān)損耗測量中的注意事項及影響因素解析

功率損耗是開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時重點關(guān)注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境，對設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程...

2021-12-15 標(biāo)簽：示波器探頭開關(guān)損耗 717 0

怎樣準確測量開關(guān)損耗

一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。...

2019-06-26 標(biāo)簽：開關(guān)損耗 894 0

175W Slim-TV SPS解決方案（安富利）

Avnet Design Service電源實驗室開發(fā)出薄板電視SPS電源解決方案。滿負荷工作條件下，電源模塊輸出總功率達175 W。解決方案提供多種組...

2012-08-01 標(biāo)簽：電源安富利電源模塊 1903 0

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

為了使MOSFET整個開關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實現(xiàn)其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或...

2012-04-12 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)損耗 6.2萬 1

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