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標(biāo)簽 > 損耗
損耗,一般指損失,受損失或耗費(fèi)的意思。在信號(hào)專業(yè)中指信號(hào)電平或強(qiáng)度的減少,通常用分貝表示。也指沒(méi)有實(shí)際用途的功率耗散。
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為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器死區(qū)時(shí)間的損耗
上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時(shí)間損耗。死區(qū)時(shí)間損耗是指在死區(qū)時(shí)間中因低邊開(kāi)關(guān)(MOSFET)...
2023-02-23 標(biāo)簽:控制電路降壓轉(zhuǎn)換器損耗 2895 0
逆時(shí)針旋下油杯軸桿一端的塞尺棒,此塞尺棒為直徑2.5mm的標(biāo)準(zhǔn)桿,將油杯兩電極間距調(diào)整到2.5mm,將另一端電極調(diào)整在偏中位置,將鎖住此軸桿螺釘旋緊,取...
本節(jié)分三部分描述PCB板的介質(zhì)層帶來(lái)的信號(hào)損耗。包括理想的介質(zhì)材料,現(xiàn)實(shí)中的介質(zhì)材料分別施加直流信號(hào)和交流信號(hào)時(shí)的狀況。
2023-04-23 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)信號(hào)完整性損耗 2749 0
與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...
由上篇文章介紹可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)漏感能量沒(méi)辦法傳遞到副邊去,漏感能量由原邊二極管D給吸收電容充電。假設(shè)漏感能量全部被RCD能量吸收,漏感中儲(chǔ)存的總的能...
2023-03-16 標(biāo)簽:損耗吸收電路開(kāi)關(guān)管 2724 0
DC/DC評(píng)估篇損耗探討-損耗的簡(jiǎn)單計(jì)算方法
上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法,即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡(jiǎn)單”的前提下,介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。
有哪些環(huán)節(jié)會(huì)帶來(lái)雷達(dá)系統(tǒng)的損耗?
但是,實(shí)際雷達(dá)常有各種損耗,從而降低了雷達(dá)的實(shí)際作用距離,需要在雷達(dá)方程中引入損耗的修正量Ls,把它加到雷達(dá)方程的分母中,用正分貝表示。雷達(dá)系統(tǒng)中有很多...
2022-11-08 標(biāo)簽:損耗雷達(dá)系統(tǒng)CFAR 2304 0
溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損...
今天在網(wǎng)上找到一份芯片的應(yīng)用指南,上面介紹了比較詳細(xì)的射頻基礎(chǔ)知識(shí),我們就這這份指南一起再來(lái)復(fù)習(xí)一下。溫故而知新。這份指南的下載鏈接,我放在了文末留言處...
MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
開(kāi)關(guān)電源/開(kāi)關(guān)MOS管/開(kāi)關(guān)變壓器損耗講解
今天給大家分享的是:開(kāi)關(guān)電源損耗與效率、開(kāi)關(guān)晶體管損耗、開(kāi)關(guān)變壓器損耗。
2023-06-16 標(biāo)簽:變壓器開(kāi)關(guān)電源MOS管 2206 0
磁滯損耗是鐵磁體等在反復(fù)磁化過(guò)程中因磁滯現(xiàn)象而消耗的能量。磁滯指鐵磁材料的磁性狀態(tài)變化時(shí),磁化強(qiáng)度滯后于磁場(chǎng)強(qiáng)度,它的磁通密度B與磁場(chǎng)強(qiáng)度 H之間呈現(xiàn)磁...
二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而,在二極管的實(shí)際應(yīng)用中,反向恢復(fù)損耗是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。本文將對(duì)二極管的反向恢復(fù)...
MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題,它涉及到多個(gè)因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。
8種開(kāi)關(guān)電源MOS管的工作損耗計(jì)算
在器件設(shè)計(jì)選擇過(guò)程中需要對(duì) MOSFET 的工作過(guò)程損耗進(jìn)行先期計(jì)算(所謂先期計(jì)算是指在沒(méi)能夠測(cè)試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書(shū)提供的參數(shù)及工作電路...
2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1684 0
用一個(gè)串聯(lián)反饋電路來(lái)設(shè)定輸出阻抗節(jié)省產(chǎn)生3dB的輸出功率損耗
人們經(jīng)常對(duì)運(yùn)放采用串聯(lián)終結(jié)方式,以匹配負(fù)載的阻抗。但這種實(shí)用方法會(huì)在終結(jié)電阻上產(chǎn)生3dB的輸出功率損耗(圖1)。較新型運(yùn)放采用3V和5V工作,限制了輸出...
開(kāi)關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...
2024-08-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管損耗 1522 0
通過(guò)衰減器和統(tǒng)計(jì)模型實(shí)現(xiàn)失配損耗和失配不確定性
了解失配損耗對(duì)有損線路的影響、通過(guò)固定衰減器減少失配損耗的方法以及該誤差的統(tǒng)計(jì)模型。
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