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標(biāo)簽 > 損耗

損耗

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損耗,一般指損失,受損失或耗費(fèi)的意思。在信號(hào)專業(yè)中指信號(hào)電平或強(qiáng)度的減少,通常用分貝表示。也指沒(méi)有實(shí)際用途的功率耗散。

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損耗技術(shù)

IGBT損耗和溫度估算

為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過(guò)程中準(zhǔn)確的功率損耗,基于數(shù)學(xué)模型及測(cè)試,建立了 一種準(zhǔn)確計(jì)算功率逆變器損耗模型的方法。通過(guò)雙脈沖測(cè)試對(duì)影響...

2023-03-06 標(biāo)簽:IGBT晶體管損耗 3038 0

DC/DC評(píng)估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器死區(qū)時(shí)間的損耗

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本節(jié)分三部分描述PCB板的介質(zhì)層帶來(lái)的信號(hào)損耗。包括理想的介質(zhì)材料,現(xiàn)實(shí)中的介質(zhì)材料分別施加直流信號(hào)和交流信號(hào)時(shí)的狀況。

2023-04-23 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)信號(hào)完整性損耗 2749 0

一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計(jì)算

與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二...

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反激變換器吸收電路的損耗計(jì)算

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由上篇文章介紹可知,當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)漏感能量沒(méi)辦法傳遞到副邊去,漏感能量由原邊二極管D給吸收電容充電。假設(shè)漏感能量全部被RCD能量吸收,漏感中儲(chǔ)存的總的能...

2023-03-16 標(biāo)簽:損耗吸收電路開(kāi)關(guān)管 2724 0

DC/DC評(píng)估篇損耗探討-損耗的簡(jiǎn)單計(jì)算方法

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上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計(jì)算方法,即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡(jiǎn)單”的前提下,介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。

2023-02-23 標(biāo)簽:損耗電源IC功率晶體管 2645 0

Buck電路功耗計(jì)算(二)

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2023-12-06 標(biāo)簽:電路BUCK損耗 2406 0

有哪些環(huán)節(jié)會(huì)帶來(lái)雷達(dá)系統(tǒng)的損耗?

但是,實(shí)際雷達(dá)常有各種損耗,從而降低了雷達(dá)的實(shí)際作用距離,需要在雷達(dá)方程中引入損耗的修正量Ls,把它加到雷達(dá)方程的分母中,用正分貝表示。雷達(dá)系統(tǒng)中有很多...

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解鎖 MOS 管:溫度估算不再燒腦

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今天在網(wǎng)上找到一份芯片的應(yīng)用指南,上面介紹了比較詳細(xì)的射頻基礎(chǔ)知識(shí),我們就這這份指南一起再來(lái)復(fù)習(xí)一下。溫故而知新。這份指南的下載鏈接,我放在了文末留言處...

2022-11-28 標(biāo)簽:天線功率損耗 2273 0

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2023-04-18 標(biāo)簽:MOSFETemi功率器件 2256 0

開(kāi)關(guān)電源/開(kāi)關(guān)MOS管/開(kāi)關(guān)變壓器損耗講解

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今天給大家分享的是:開(kāi)關(guān)電源損耗與效率、開(kāi)關(guān)晶體管損耗、開(kāi)關(guān)變壓器損耗。

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淺談變壓器的損耗

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磁滯損耗是鐵磁體等在反復(fù)磁化過(guò)程中因磁滯現(xiàn)象而消耗的能量。磁滯指鐵磁材料的磁性狀態(tài)變化時(shí),磁化強(qiáng)度滯后于磁場(chǎng)強(qiáng)度,它的磁通密度B與磁場(chǎng)強(qiáng)度 H之間呈現(xiàn)磁...

2023-04-25 標(biāo)簽:損耗磁性元件渦流損耗 1842 0

二極管的反向恢復(fù)損耗定義

二極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而,在二極管的實(shí)際應(yīng)用中,反向恢復(fù)損耗是一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。本文將對(duì)二極管的反向恢復(fù)...

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MOS管的損耗與哪些因素

MOS管的損耗是一個(gè)復(fù)雜而重要的議題,它涉及到多個(gè)因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計(jì)、工作條件以及外部環(huán)境等。

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8種開(kāi)關(guān)電源MOS管的工作損耗計(jì)算

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2023-06-10 標(biāo)簽:電源MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1684 0

用一個(gè)串聯(lián)反饋電路來(lái)設(shè)定輸出阻抗節(jié)省產(chǎn)生3dB的輸出功率損耗

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人們經(jīng)常對(duì)運(yùn)放采用串聯(lián)終結(jié)方式,以匹配負(fù)載的阻抗。但這種實(shí)用方法會(huì)在終結(jié)電阻上產(chǎn)生3dB的輸出功率損耗(圖1)。較新型運(yùn)放采用3V和5V工作,限制了輸出...

2017-11-30 標(biāo)簽:反饋電路損耗3db 1682 0

開(kāi)關(guān)電源MOS管的主要損耗

開(kāi)關(guān)電源中的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...

2024-08-07 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管損耗 1522 0

通過(guò)衰減器和統(tǒng)計(jì)模型實(shí)現(xiàn)失配損耗和失配不確定性

通過(guò)衰減器和統(tǒng)計(jì)模型實(shí)現(xiàn)失配損耗和失配不確定性

了解失配損耗對(duì)有損線路的影響、通過(guò)固定衰減器減少失配損耗的方法以及該誤差的統(tǒng)計(jì)模型。

2023-02-27 標(biāo)簽:衰減器信號(hào)RF 1515 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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