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標(biāo)簽 > 捷捷微電
江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省創(chuàng)新型企業(yè)、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)會(huì)員單位、中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)先進(jìn)會(huì)員單位。公司建有“江蘇省企業(yè)技術(shù)中心”、“江蘇省工程技術(shù)研究中心”。
功率器件公司前三季度業(yè)績(jī)：晶閘管龍頭凈利潤(rùn)暴漲20倍，多家緊抓汽車市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）隨著10月的結(jié)束，功率器件上市公司基本已經(jīng)公開(kāi)了前三季度的業(yè)績(jī)報(bào)告。電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了揚(yáng)杰
功率半導(dǎo)體價(jià)格觸底，下游需求回暖！多家廠商上半年業(yè)績(jī)預(yù)期實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近日，華潤(rùn)微在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司代工及自有產(chǎn)品的產(chǎn)能利用率均滿載，產(chǎn)品價(jià)格觸底企穩(wěn)；
捷捷微電與晶能微電子深化合作，共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章
近日，捷捷微電與總部位于杭州的浙江晶能微電子有限公司（簡(jiǎn)稱“晶能”）在吉利科技大廈隆重簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。此舉標(biāo)志著雙方在
近日，捷捷微電宣布其8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目正式簽約，落戶蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。作為功率（電力）半導(dǎo)體器件的領(lǐng)軍制造商
2024-05-23 標(biāo)簽： SiC 功率半導(dǎo)體 捷捷微電 590 0
捷捷微電2024年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)增，凈利潤(rùn)或增175%-195%
公司緊跟行業(yè)趨勢(shì)，強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)實(shí)力，以市場(chǎng)為導(dǎo)向，把握功率半導(dǎo)體器件進(jìn)口替代機(jī)遇以及產(chǎn)品升級(jí)和客戶需求增長(zhǎng)，拓寬下游應(yīng)用領(lǐng)域
2024-04-13 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體器件 捷捷微電 691 0
捷捷微電上調(diào)部分MOS芯片產(chǎn)品價(jià)格
近日，網(wǎng)傳捷捷微電下屬子公司上調(diào)了部分MOS芯片產(chǎn)品價(jià)格。針對(duì)這一傳言，捷捷微電證券部工作人員進(jìn)行了回應(yīng)。
江蘇捷捷微電子怎么樣 江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造
2023-02-21 標(biāo)簽： 捷捷微電 1078 0
捷捷微電：目前有少量碳化硅器件封測(cè)，該系列產(chǎn)品尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段
集微網(wǎng)消息，近日，有投資者提問(wèn)捷捷微電，請(qǐng)問(wèn)貴公司在SiC-MOSFET方面的研發(fā)進(jìn)展，有沒(méi)有批量產(chǎn)品在供貨了？ 捷捷微
捷捷微電首批六英寸晶圓已下線 英特爾至今沒(méi)有EUV芯片
捷捷微電首批具有高浪涌防護(hù)能力的六英寸晶圓于 2022 年 3 月 26 日產(chǎn)出下線，良率高達(dá) 97.79%。
英特爾以54億美元收購(gòu)高塔 捷捷微電獲21年最具成長(zhǎng)性公司稱號(hào)
加利福尼亞州圣克拉拉和以色列 MIGDAL HAEMEK，近日英特爾公司（納斯達(dá)克代碼：INTC）和領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體解決
江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省創(chuàng)新型企業(yè)、中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)會(huì)員單位、中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)先進(jìn)會(huì)員單位。公司建有“江蘇省企業(yè)技術(shù)中心”、“江蘇省工程技術(shù)研究中心”。公司具備一流的技術(shù)創(chuàng)新能力、良好的市場(chǎng)信譽(yù)和業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)，是國(guó)內(nèi)電力半導(dǎo)體器件領(lǐng)域中，晶閘管器件及芯片方片化IDM（整合元件制造商，即覆蓋了整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈，集芯片設(shè)計(jì)，制造和封裝測(cè)試一體）的半導(dǎo)體廠商。公司“捷捷”牌產(chǎn)品已銷往日本、韓國(guó)、西班牙、新加坡、臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)，可靠的質(zhì)量得到了用戶的充分肯定。
企業(yè)現(xiàn)有注冊(cè)資金179，742，660元。公司主導(dǎo)產(chǎn)品為（0.6～110）A/600-1600V雙向可控硅、（0.8～250）A/600-2200V單向可控硅、低結(jié)電容放電管、TVS等各類保護(hù)器件、高壓整流二極管、功率型開(kāi)關(guān)晶體管。公司擁有五條半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品線。
1.φ4英寸可控硅器件芯片生產(chǎn)線，主導(dǎo)產(chǎn)品：（0.6～110）A/600-1600V雙向可控硅（TRIACs），（0.8～250）A/600-2000V單向可控硅（SCRs），功率型開(kāi)關(guān)晶體管，達(dá)林頓晶體管；
2.φ4英寸防護(hù)器件芯片生產(chǎn)線，主導(dǎo)產(chǎn)品：低結(jié)電容放電管、高壓觸發(fā)二極管、TVS、ESD等各類防護(hù)器件；
3.φ4英寸快恢復(fù)二極管器件芯片生產(chǎn)線，主導(dǎo)產(chǎn)品：快恢復(fù)二極管、高壓整流二極管等；
4.三極體器件封裝和測(cè)試生產(chǎn)線，器件封裝形式：TO-92、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、DPAK、iPAK、D2PAK、TO-220A insulated、TO-220B、TO-220C、TO-220F、TO-247、TO-247 Super、TO-P3 insulated等。
5.二極體器件封裝和測(cè)試生產(chǎn)線，器件封裝形式：SMA、SMB、SMC、SOD123、SOD323、SOD523等。
公司先后通過(guò)ISO9001：2008質(zhì)量管理體系、ISO14001：2004環(huán)境管理體系、OHSAS18001職業(yè)健康安全體系、QC080000有害物質(zhì)過(guò)程管理體系認(rèn)證，目前正在推行ISO/TS 16949。產(chǎn)品符合UL電氣絕緣性要求、RoHS環(huán)保要求、Reach化學(xué)品注冊(cè)、評(píng)估、許可和限制要求、無(wú)鹵化等要求。
“邊門極結(jié)構(gòu)的高壓大電流單向晶閘管器件芯片”、“臺(tái)面工藝結(jié)構(gòu)可控硅芯片”、“具有150℃高結(jié)溫性能雙向晶閘管芯片”等18個(gè)產(chǎn)品被評(píng)定為江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品；“低結(jié)電容過(guò)壓保護(hù)晶閘管器件” 獲得南通市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)、“新型門極靈敏觸發(fā)單向可控硅芯片”獲得南通市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步三等獎(jiǎng)。
公司自成立以來(lái)，一直從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。企業(yè)在大力開(kāi)展技術(shù)創(chuàng)新的同時(shí)，非常注重自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)造與保護(hù)工作。公司現(xiàn)共獲得授權(quán)專利53項(xiàng)，其中發(fā)明專利15項(xiàng)，實(shí)用型新專利37項(xiàng)；外觀專利1項(xiàng)。公司擁有江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品19項(xiàng)。
功率器件公司前三季度業(yè)績(jī)：晶閘管龍頭凈利潤(rùn)暴漲20倍，多家緊抓汽車市場(chǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）隨著10月的結(jié)束，功率器件上市公司基本已經(jīng)公開(kāi)了前三季度的業(yè)績(jī)報(bào)告。電子發(fā)燒友網(wǎng)整理了揚(yáng)杰科技、捷捷微電、新潔能、芯導(dǎo)科技...
功率半導(dǎo)體價(jià)格觸底，下游需求回暖！多家廠商上半年業(yè)績(jī)預(yù)期實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近日，華潤(rùn)微在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司代工及自有產(chǎn)品的產(chǎn)能利用率均滿載，產(chǎn)品價(jià)格觸底企穩(wěn)；同時(shí)，公司上半年已針對(duì)部分 MO...
捷捷微電與晶能微電子深化合作，共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章
近日，捷捷微電與總部位于杭州的浙江晶能微電子有限公司（簡(jiǎn)稱“晶能”）在吉利科技大廈隆重簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。此舉標(biāo)志著雙方在工控IGBT領(lǐng)域的合作將進(jìn)一步加...
近日，捷捷微電宣布其8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片項(xiàng)目正式簽約，落戶蘇錫通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)。作為功率（電力）半導(dǎo)體器件的領(lǐng)軍制造商和品牌運(yùn)營(yíng)商，捷捷微電集研發(fā)、制...
2024-05-23 標(biāo)簽：SiC功率半導(dǎo)體捷捷微電 590 0
捷捷微電2024年第一季度業(yè)績(jī)預(yù)增，凈利潤(rùn)或增175%-195%
公司緊跟行業(yè)趨勢(shì)，強(qiáng)化團(tuán)隊(duì)實(shí)力，以市場(chǎng)為導(dǎo)向，把握功率半導(dǎo)體器件進(jìn)口替代機(jī)遇以及產(chǎn)品升級(jí)和客戶需求增長(zhǎng)，拓寬下游應(yīng)用領(lǐng)域，推動(dòng)業(yè)務(wù)穩(wěn)步增長(zhǎng)。
2024-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件捷捷微電 691 0
捷捷微電上調(diào)部分MOS芯片產(chǎn)品價(jià)格
近日，網(wǎng)傳捷捷微電下屬子公司上調(diào)了部分MOS芯片產(chǎn)品價(jià)格。針對(duì)這一傳言，捷捷微電證券部工作人員進(jìn)行了回應(yīng)。
江蘇捷捷微電子怎么樣 江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，是一家專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)、江蘇...
2023-02-21 標(biāo)簽：捷捷微電 1078 0
捷捷微電：目前有少量碳化硅器件封測(cè)，該系列產(chǎn)品尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段
集微網(wǎng)消息，近日，有投資者提問(wèn)捷捷微電，請(qǐng)問(wèn)貴公司在SiC-MOSFET方面的研發(fā)進(jìn)展，有沒(méi)有批量產(chǎn)品在供貨了？ 捷捷微電10月19日在互動(dòng)平臺(tái)上稱，公...
捷捷微電首批六英寸晶圓已下線 英特爾至今沒(méi)有EUV芯片
捷捷微電首批具有高浪涌防護(hù)能力的六英寸晶圓于 2022 年 3 月 26 日產(chǎn)出下線，良率高達(dá) 97.79%。
英特爾以54億美元收購(gòu)高塔 捷捷微電獲21年最具成長(zhǎng)性公司稱號(hào)
加利福尼亞州圣克拉拉和以色列 MIGDAL HAEMEK，近日英特爾公司（納斯達(dá)克代碼：INTC）和領(lǐng)先的模擬半導(dǎo)體解決方案代工廠 Tower Semi...
| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| JMPL1050AK-13 | MOSFETs P-溝道 100V 30A TO252 |
獲取價(jià)格
|
|
| JMTK060N06A | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):60V;連續(xù)漏極電流(Id):120A;功率(Pd):181W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,30A; |
獲取價(jià)格
|
|
| JMSH0805AE-13 | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):85V;連續(xù)漏極電流(Id):121A;功率(Pd):130W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,20A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):39.7nC@0~10V;輸入電容(Ciss@Vds):2.451nF@40V;反向傳輸電容(Crss@Vds):18pF@40V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| JMTE3002B | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續(xù)漏極電流(Id):180A;功率(Pd):130W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.95mΩ@10V,30A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):70nC@10V;輸入電容(Ciss@Vds):4.93nF@15V;反向傳輸電容(Crss@Vds):566pF@15V;工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
|
| JMSH1004AE | 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續(xù)漏極電流(Id):190A;功率(Pd):250W;導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):66nC@0~10V;輸入電容(Ciss@Vds):4.398nF@50V;反向傳輸電容(Crss@Vds):8.5pF@50V;工作溫度:-55℃~+175℃@(Tj); |
獲取價(jià)格
|
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