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標簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術界的一大突破。
嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。
晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關速度可以非常快，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術界的一大突破。
嚴格意義上講，晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。
晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極（Base） 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發(fā)射極接地（又稱共射放大、CE組態(tài)）、基極接地（又稱共基放大、CB組態(tài)）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器）。
IGBT在電力電子中的關鍵作用在當今的電力電子技術中，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為不可或缺的核心組件。這種器件以其出色的性能，在變頻器、電動汽車、...
前段時間針對開關電源前級電路（防雷、EMI、整流 、濾波）都有做一些相對較詳細的整理，講解，相信粉絲朋友有很多收獲。
隨著新材料和新技術的不斷發(fā)展，金屬氧化物半導體（MOS）和柔性石墨烯MOS（GrapheneMOS）作為兩種重要的半導體材料，在電子設備和器件的應用中越...
在當今技術驅動的時代，電子設備的互操作性至關重要。從汽車 ADAS（先進駕駛輔助系統(tǒng)）到數(shù)據(jù)中心和工業(yè)自動化，現(xiàn)代電子電路必須能夠支持各種組件之間的高速通信。
國產MOS管新產品推介：FHP230N06V型號，在應用端可以用于高頻逆變器、工頻逆變器、戶外儲能電源、電機控制器、UPS不間斷電源、高頻開關電源等產品電路中。
選擇性沉積技術可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術的不斷進步，制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn)，尤其是全環(huán)繞柵極（Gat...
短溝道效應嚴重制約了硅基晶體管尺寸的進一步縮小，限制了其在先進節(jié)點集成電路中的應用。開發(fā)新材料和新技術對于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...
CMOS 工藝技術平臺的電容包括 MIM 和 PIP （Poly Insulator Poly）。PIP 主要應用在0.35μm及以上的亞微米及微米工藝...
芯片制造可分為前段(FEOL)晶體管制造和后段(BEOL)金屬互連制造。后段工藝是制備導線將前段制造出的各個元器件串連起來連接各晶體管，并分配時鐘和其他...
比斯特BT-550D電動智能晶體管點焊機憑借其獨到的技術優(yōu)勢，在眾多點焊機中獨樹一幟。比斯特晶體管點焊機配備了精確的焊接控制單元，能夠細致調整電流、焊接...
三菱電機集團近日宣布，將于12月26日開始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊樣品，這兩款模塊額定電壓均為1.7kV，適用于鐵...
英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領域技術突破
芯東西12月16日報道，在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了包括先進封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內的多項技術...
比斯特BT-550D電動智能晶體管點焊機的參數(shù)詳情
比斯特 BT-550D 電動智能晶體管點焊機的的參數(shù)詳情充分彰顯著它的專業(yè)與強大。這款點焊機具備可調節(jié)的焊接電流范圍，能依據(jù)不同焊件材質與厚度靈活設定，...
搶先領取！高壓CoolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦
高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現(xiàn)CoolGaN技術和器件...
1. EEPROM的工作原理 EEPROM是一種可以通過電信號擦除和重寫的存儲器。它通常由浮柵晶體管組成，這些晶體管可以存儲電荷，從而代表數(shù)據(jù)。當需要更...
2024-12-16 標簽：存儲器物聯(lián)網(wǎng)晶體管 336 0
原創(chuàng) 杜芹 半導體芯聞 最近一段時間以來，芯片巨頭英特爾在商業(yè)和市場層面經歷了諸多挑戰(zhàn)。但有一說一，英特爾在前沿技術領域的探索和布局依然具有行業(yè)標桿意義...
射頻放大器工作原理 信號輸入 ：射頻放大器接收來自調制器的信號，這些信號通常包含要傳輸?shù)男畔ⅰ?放大過程 ：放大器的核心功能是增加信號的功率。這通常通過...
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