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標(biāo)簽 > 晶體管

晶體管

晶體管

+關(guān)注77人關(guān)注

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

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晶體管技術(shù)

nmos晶體管的工作原理/功能特性/電路圖

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NMOS晶體管是一種電子元件,它是一種半導(dǎo)體晶體管,其中N指的是n型半導(dǎo)體材料,它具有負(fù)極性,可以用來控制電流的流動(dòng)。它的主要功能是在電路中控制電流的流...

2023-02-11 標(biāo)簽:NMOS晶體管NMOS管 1.7萬 0

晶體管的三個(gè)極是什么_判斷晶體管的三個(gè)電極

晶體管是一種電子器件,它有三個(gè)電極:基極、集電極和發(fā)射極。   基極是晶體管的輸入端,也稱為“正向基極”,是一個(gè)半導(dǎo)體金屬片,通常是一個(gè)鍍錫或鍍銀...

2023-02-11 標(biāo)簽:晶體管發(fā)射極基極 2.2萬 0

為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED?

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2023-02-10 標(biāo)簽:led穩(wěn)壓器功率 737 0

開關(guān)電源中常用的過流保護(hù)方式和電路分析

電源作為一切電子產(chǎn)品的供電設(shè)備,除了性能要滿足供電產(chǎn)品的要求外,其自身的保護(hù)措施也非常重要,如過壓、過流、過熱保護(hù)等。一旦電子產(chǎn)品出現(xiàn)故障時(shí),如電子產(chǎn)品...

2023-02-10 標(biāo)簽:變壓器電路分析開關(guān)電源 5082 0

先進(jìn)封裝——從2D,3D到4D封裝

物理結(jié)構(gòu):所有芯片和無源器件均安裝在基板平面,芯片和無源器件和 XY 平面直接接觸,基板上的布線和過孔均位于 XY 平面下方;電氣連接:均需要通過基板(...

2023-02-10 標(biāo)簽:pcb封裝晶體管 1790 0

什么是氮化鎵(GaN)?什么是高電子遷移率晶體管?

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氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長(zhǎng)氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應(yīng)力,從而產(chǎn)生二維電子氣(...

2023-02-10 標(biāo)簽:集成電路晶體管氮化鎵 5185 0

為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED?

大功率 LED 燈串(例如汽車前燈中用的燈串)要求電流恒定,也就是無論環(huán)境溫度和輸入電壓如何波動(dòng)變化,電流都保持穩(wěn)定。

2023-02-10 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器led燈晶體管 344 0

空調(diào)用電流連續(xù)模式PFC電路:利用MOSFET和二極管提高效率的案例

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上一篇文章中介紹了在LED照明電路中提升效率并降低噪聲的案例,本文將介紹在空調(diào)中的案例。近年來,隨著表示全年能效比的APF(Annual Perform...

2023-02-10 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 2095 0

什么是PFC?

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從本文開始將介紹在實(shí)際應(yīng)用電路中二極管和晶體管的特性和性能不同會(huì)帶來什么樣的差異、使用上有什么區(qū)分。首先以PFC(功率因數(shù)改善)為例開始,有些電子設(shè)備是...

2023-02-10 標(biāo)簽:二極管功率因數(shù)晶體管 1.7萬 0

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)芯片溫度

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在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對(duì)雖然右側(cè)流程圖中沒有提及,但在下面項(xiàng)目中有的第⑦“確認(rèn)芯片溫度”進(jìn)行說明。

2023-02-10 標(biāo)簽:芯片晶體管SOA 838 0

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)

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在本章中介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側(cè)流程圖的“⑥確認(rèn)平均功耗在額定功率范圍內(nèi)”。由于這一系列是以開關(guān)工...

2023-02-10 標(biāo)簽:晶體管額定功率SOA 390 0

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在實(shí)際使用溫度降額后的SOA范圍內(nèi)

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在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的④確認(rèn)在使用環(huán)境溫度下降額的SOA范圍內(nèi)。

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SOA 470 0

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)

在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側(cè)流程圖的③確認(rèn)在SOA(安全工作區(qū))范圍內(nèi)。

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SOA 808 0

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)

在本章中將介紹判斷所選的晶體管在實(shí)際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側(cè)流程圖的②確認(rèn)在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET晶體管SOA 377 0

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)和準(zhǔn)備

實(shí)際工作中的晶體管適用性確認(rèn)-實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)和準(zhǔn)備

從本章開始進(jìn)入新篇章--“實(shí)際工作中的適用性確認(rèn)”。在電路設(shè)計(jì)中,通常會(huì)基于電路要求,參考技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格來選擇適合的晶體管。然而,實(shí)際試制后,非常有可...

2023-02-10 標(biāo)簽:電路圖電路設(shè)計(jì)晶體管 361 0

MOSFET規(guī)格相關(guān)的術(shù)語(yǔ)集

之前介紹了MOSFET的特征和特性。不僅MOSFET的規(guī)格書,一般規(guī)格書(技術(shù)規(guī)格書)中都會(huì)記載電氣規(guī)格(spec),其中包括參數(shù)名稱和保證值等。

2023-02-10 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 1150 0

同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS

同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS

本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 698 0

高速trr SJ-MOSFET:PrestoMOS?系列

高速trr SJ-MOSFET:PrestoMOS?系列

上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產(chǎn)品陣容,以標(biāo)準(zhǔn)AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。

2023-02-10 標(biāo)簽:二極管MOSFET晶體管 716 0

功率晶體管的特征與定位

功率晶體管的特征與定位

從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位:首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFE...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率晶體管 848 0

4N25光耦合器:簡(jiǎn)單的應(yīng)用電路

4N25光耦合器:簡(jiǎn)單的應(yīng)用電路

4N25是一款6引腳光電晶體管耦合器。本文根據(jù)其傳動(dòng)特性介紹了 4N25 的非線性和線性應(yīng)用。

2023-02-09 標(biāo)簽:電阻電路信號(hào) 7755 0

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    +關(guān)注
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    +關(guān)注
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    服務(wù)機(jī)器人
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