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標簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,具有檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關,能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
IGBT中文翻譯為:絕緣柵雙極型晶體管。是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成,兼具了這二者的優點:高輸入阻抗和...
功率墻:將功率引入芯片并從芯片封裝中提取熱量變得越來越具有挑戰性,因此我們必須開發改進的功率傳輸和冷卻概念。
插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有:雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網格陣列封...
特別是對于SiC MOSFET,柵極驅動器IC必須將開關和傳導損耗(包括導通和關斷能量)降至最低。
可通過基極電流開啟或關閉雙極結型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應用中,需要一個串聯電阻將基極...
在基極限流電阻并聯小容量的電容(一般pF級別),當輸入信號上升、下降時候能夠使限流電阻瞬間被旁路并提供基極電流,所以在晶體管由導通狀態變化到截止狀態時能...
芯片上的集成主要以2D為主,晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面;同樣,PCB上的集成也是以2D為主,電子元器件平鋪安裝在PCB表面,因此,二者都屬于2D集...
三極管根據發射結和集電結的偏置狀態可以將工作區域分為四個,分別為截止區、放大區、飽和區、反向放大區。在各個不同的區域對應有不同的U/I特性。具體的對應關系如下:
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