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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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T3Ster作為一款先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測試儀器,能幫助用戶在數(shù)分鐘內(nèi)獲取各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。
PLC外部接線以及開關(guān)量信號和模擬量信號轉(zhuǎn)換
隔離電路采用光電耦合器,再經(jīng)RC濾波電路送入PLC的CPU,可以防止外部干擾源和觸點抖動等情況。
為了加快負(fù)載端電壓變化率, 通常會在驅(qū)動電路中的電阻兩端并聯(lián)一個電容, 這個電容被稱為加速電容。根據(jù)負(fù)載的不同, 加速電容主要應(yīng)用于阻容負(fù)載驅(qū)動電路和晶...
太赫茲波能量大小則在電子和光子之間,與其他頻率的電磁波相比,其性能非常獨特。正是這些獨特的性能,使其在光譜分析、成像、6G通信、電子對抗等領(lǐng)域 具有廣闊...
數(shù)字萬用表測量晶體管直流放大倍數(shù)時,不用接表,轉(zhuǎn)動測量選擇開關(guān)值“hFE”檔位,將被測晶體管插入晶體管插孔,LCD顯示屏可顯示出被測晶體管的直流放大倍數(shù)。
2022-12-26 標(biāo)簽:三極管萬用表數(shù)字萬用表 3509 0
零伏帶載是指電子負(fù)載可以在非常低的輸入電壓下,輸出額定滿電流,電流可高達(dá)上百安培。電子負(fù)載由于場效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通漏源極內(nèi)阻,有一個不可避免的最小內(nèi)部電阻...
在電力電子領(lǐng)域,例如在驅(qū)動技術(shù)中,IGBT經(jīng)常用于高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管是電壓控制的,在開關(guān)過程中產(chǎn)生其主要損耗。為了最大限度地降低開關(guān)損耗...
在新一代電子電路設(shè)計中, 隨著低電壓邏輯的引入, 系統(tǒng)內(nèi)部常常出現(xiàn)輸入-輸出邏輯不協(xié)調(diào)的問題, 從而提高了系統(tǒng)設(shè)計的復(fù)雜性。例如, 當(dāng)1.8V的數(shù)字電路...
2022-12-22 標(biāo)簽:三極管晶體管電平轉(zhuǎn)換電路 3289 1
IGBT基礎(chǔ)知識、參數(shù)特性、驅(qū)動電路總結(jié)
IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...
如何降低晶體管和變壓器損耗,提高開關(guān)電源效率?牛人這樣說
開關(guān)電源的損耗主要來自三個元件:開關(guān)晶體管、變壓器和整流二極管。
2022-12-21 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源整流二極管 1187 0
某個多功能芯片Spec要求是使用+/-5V供電,而內(nèi)部部分單元需要用到一些特殊電壓的供電,因此需要設(shè)計一個LDO,由于是GaAs pHEMT工藝,只有N...
在本文中,我們將介紹相反的問題:我們有一個3.3V輸出,我們需要驅(qū)動一個5V系統(tǒng)。
2022-12-20 標(biāo)簽:CMOS二極管轉(zhuǎn)換器 3987 0
其工作原理:當(dāng)u2正半周時,A點為“+”,B點為“-”,使得二極管D1導(dǎo)通,D2截止;C1充電,電流如圖1實線所示;C1上電壓極性右為“+”,左為“—”...
耦合器技術(shù)有利于AC/DC設(shè)計中的氮化鎵晶體管
高效的 AC/DC 電源是電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的關(guān)鍵,因為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站的功耗會迅速增長。然而,電力電子行業(yè)已經(jīng)達(dá)到了硅...
漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之...
IBIS 代表 輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范。它表示IC供應(yīng)商提供給其客戶以用于高速設(shè)計仿真的器件數(shù)字引腳的特性或行為。這些模型使用IBIS開放論壇指定的參...
在工業(yè)應(yīng)用中,發(fā)生高電壓的可能性是一個持續(xù)關(guān)注的問題。找到提供保護(hù)的方法一直是并將繼續(xù)是開發(fā)人員的一項重要任務(wù)。此設(shè)計技巧說明了開發(fā)人員如何利用過頂 (...
一旦硅開始達(dá)不到電路需求,碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨的硅相比,這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)...
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