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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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揭開(kāi)SiC MOSFET挑戰(zhàn)的神秘面紗
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在。基于半導(dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開(kāi)關(guān)的真空管,使人類(lèi)在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
該電路使用緊湊型三晶體管再生接收器,具有固定反饋。它在原理上類(lèi)似于現(xiàn)在被 MK484 取代的 ZN414 無(wú)線電 IC。設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,接收機(jī)靈敏度和選擇性好。
硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個(gè) MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla ...
LDO噪聲來(lái)源及環(huán)路穩(wěn)定性對(duì)輸出噪聲的影響
相位噪聲是時(shí)鐘、射頻頻綜最為關(guān)注的技術(shù)指標(biāo)之一。影響鎖相環(huán)相噪的因素有很多,比如電源、參考源相噪、VCO 自身的相噪、環(huán)路濾波器的設(shè)置等。
電源設(shè)計(jì)的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)的使用注意事項(xiàng)
開(kāi)關(guān)元件是簡(jiǎn)單的電子開(kāi)關(guān),通常由三個(gè)引腳組成,其中一個(gè)引腳中的電壓或電流的存在允許電流在其他兩個(gè)引腳之間流動(dòng)。要將設(shè)備設(shè)置為導(dǎo)通或阻斷狀態(tài),并因此結(jié)束此...
2022-08-05 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 4191 0
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用 GaN Sy...
2022-08-05 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器晶體管 1410 0
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中,我們將使用 EPC 的 ...
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時(shí)增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
測(cè)量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)
這種測(cè)量交叉?zhèn)鲗?dǎo)的簡(jiǎn)單且經(jīng)濟(jì)高效的方法利用了GaN 晶體管的獨(dú)特特性。
MOSFET的基本特性及MOSFET開(kāi)關(guān)電路
MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它有一個(gè)柵極。為簡(jiǎn)單起見(jiàn),您可以將這個(gè)門(mén)想象成一個(gè)水龍頭,您逆時(shí)針旋...
2022-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET晶體管 1.4萬(wàn) 0
MOS管,即金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
幾十年來(lái),硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和卓越的特性。例如,化合物半...
模擬濾波器分為無(wú)源和有源兩種,其中無(wú)源是由RLC組成的,而有源則是在無(wú)源的基礎(chǔ)上增加了運(yùn)放,可以調(diào)整增益。數(shù)字濾波器分為FIR和IIR兩種,一般情況下,...
對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中,電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限,制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能(和良率)的...
當(dāng)我們需要設(shè)計(jì)一個(gè)具有特定性能的DAC時(shí),很可能沒(méi)有任何一種架構(gòu)是理想的。這種情況下,可以將兩個(gè)或更多DAC組合成一個(gè)更高分辨率的DAC,以獲得所需的性...
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的控制,所以也常用于放大電路。場(chǎng)效應(yīng)管放大電路常見(jiàn)的組態(tài)有共源、共漏兩種。
2022-07-30 標(biāo)簽:放大電路場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 1.0萬(wàn) 0
整個(gè)電力電子行業(yè),包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號(hào)的系統(tǒng),都在朝著在越來(lái)越小的空間內(nèi)提供越來(lái)越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計(jì)人員在滿足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求...
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