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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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眾所周知, 晶體管是單晶半導(dǎo)體器件, 而壓敏電阻是有空架晶格的多晶半導(dǎo)體, 隨著所加電壓, 晶格發(fā)生變化, 其電阻值也隨著發(fā)生巨大變化的敏感器件類的電子...
可提高開關(guān)速度與動態(tài)性能的減少VDMOS寄生電容新結(jié)構(gòu)的研究
VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高,驅(qū)動電流小,頻率特性好,跨導(dǎo)高度線性等優(yōu)點。特別值得指出的是,它具有負(fù)溫度系數(shù),...
基于IR2130驅(qū)動模塊的功率MOSFET驅(qū)動保護電路的設(shè)計
功率場效應(yīng)管自身擁有眾多優(yōu)點,但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力,特別是在高頻的應(yīng)用場合,所以在應(yīng)用功率MOSFET對必須為其設(shè)計合理的保護...
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài),工作頻率較高,發(fā)熱量大,因此其故障率較高,又由于其價格較高,故代換IGBT管時,應(yīng)遵循以下原則:首先,盡量用原型...
一種元器件數(shù)量少的高性能分立式匹配晶體管緩沖器的設(shè)計
盡管單封裝雙器件(如2N3958、2N5196~2N5199,以及2N5564~2N5566等)在熱跟蹤方面具有優(yōu)勢,為降低成本,我們還是選擇離散JFE...
電子設(shè)備產(chǎn)生間歇性故障原因是什么?有什么解決方法
外部干擾可以是以廣播、電視的射頻載波形式進入的無線電波,也可能是通過電源線,甚至是電話線傳播的。你可以在電源線或電話線上安裝濾波器來檢查是否是這個問題。...
高速通信系統(tǒng)已經(jīng)在世界范 圍內(nèi)進入大規(guī)模建設(shè)階段,大量的信息交互促進了通信和計算機技術(shù)的迅猛發(fā)展,高速干線系統(tǒng)作為信息高速公路的主干,研究設(shè)計其所采用的...
靜止同步補償器的工作原理、類型、應(yīng)用及發(fā)展現(xiàn)狀介紹
我國電力工業(yè)發(fā)展迅速,其需求將保持持續(xù)、快速的增長態(tài)勢而且需求規(guī)模在增大,當(dāng)前我國電力事業(yè)可靠性要求高、實用性強;經(jīng)濟效益突出;節(jié)能,環(huán)保、高效成為主要...
全固態(tài)電視發(fā)射機的功放結(jié)構(gòu)、特點與故障維修分析
近年來,許多電視發(fā)射臺已完成全固態(tài)發(fā)相繼開發(fā)出橫向擴散金屬氧化半導(dǎo)體硅場效應(yīng)斷其好壞。電阻法是維射機替代電子管發(fā)射機的更新?lián)Q代工作。全固管(LDMOS)...
2018-11-22 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電源晶體管 7288 1
最新的市場統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,便攜式媒體播放器是目前發(fā)展最快的便攜式消費類電子終端設(shè)備。消費者希望在路上也能聆聽他們喜愛的音樂,欣賞視頻剪輯甚至電影。不過,消...
調(diào)頻耳機收音機電路的結(jié)構(gòu)組成及原理分析
收音機電路見圖1。它的新穎之處在于前級晶體管VT1以不同于超再生式及超外的方式進行工作,同時具有混頻、本振、鎖相環(huán)同步檢波及低頻放大4種功能。
串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路的性能指標(biāo)及如何對數(shù)學(xué)模型進行求解
串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路中含有的元器件種類繁多,把他作為我們研究問題的對象,使得研究結(jié)果具有普遍性。串聯(lián)反饋型晶體管穩(wěn)壓電路如圖1所示。圖中,Ui為電網(wǎng)...
下一代無線設(shè)備的射頻芯片設(shè)計挑戰(zhàn)
從3G升級到LTE-Advance,對下一代移動通信基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)備和器件供應(yīng)商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無線設(shè)備要求支持更寬的信號帶寬、更復(fù)雜的調(diào)制方式,以...
如何降低功率CMOS器件的有源和待機功耗和提高應(yīng)用功效
三十多年來,本本體硅(bulk silicon)MSOFET工藝一直是晶體管器件所采用的主要CMOS工藝。我們非常熱衷于從縮小晶體管來提高密度和性能。在...
通過時間測量芯片TDC-GP2測量IGBT導(dǎo)通延遲時間
TDC-GP2是德國ACAM公司繼TDC-GP1之后新推出的一款高精度時間間隔測量芯片。與前代芯片相比,具有更高的精度、更小的封裝和更低的價格,更適...
工作于D類開關(guān)狀態(tài)的MOSFT管在發(fā)射機射頻功放中的應(yīng)用
隨著微電子技術(shù)的發(fā)展,MOS管在電子與通信工程領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。特別是在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機的射頻功率放大器中,利用MOS管的開關(guān)特性,可使整個射...
電流存儲單元主要利用MOS管柵電容的電荷存儲效應(yīng)來實現(xiàn)電流存儲功能。圖1所示電路,TS1,TS2,TS3是由MOS管構(gòu)成的開關(guān),受互補時鐘信號φ1,φ2...
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