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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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前言:鬧鐘(clock)是帶有鬧時(shí)裝置的鐘。既能指示時(shí)間,又能按人們預(yù)定的時(shí)刻發(fā)出音響信號(hào)或其他信號(hào)。鬧鐘的機(jī)芯結(jié)構(gòu)主要有機(jī)械式和石英電子式兩大類。其他...
從直流分析,我們看到差動(dòng)放大電路可視為兩個(gè)完全相同的共射極放大電路以對稱形式構(gòu)成。這種特殊的結(jié)構(gòu)如何抑制零點(diǎn)漂移呢?與它的對稱結(jié)構(gòu)有關(guān),請看:
差動(dòng)放大電路的結(jié)構(gòu)和靜態(tài)工作點(diǎn)分析
由于溫度變化而引起的電壓漂移是零點(diǎn)漂移的主要成分,用熱敏元件進(jìn)行溫度補(bǔ)償不失為一種解決溫漂的好辦法。受補(bǔ)償思想啟發(fā),用2只型號(hào)和特性都相同的晶體管來進(jìn)行...
多級放大電路中零點(diǎn)漂移產(chǎn)生與抑制措施
在多級放大電路,尤其是直接耦合多級放大電路中,當(dāng)放大電路輸入信號(hào)為零(即沒有交流輸入)時(shí),由于受溫度變化、電源電壓不穩(wěn)、元件參數(shù)變化等因素的影響,使靜態(tài)...
2023-06-07 標(biāo)簽:放大電路晶體管差動(dòng)放大電路 5083 0
如圖9-1,電流模式控制是對電壓模式控制進(jìn)行改進(jìn)后的控制方式,這種方式是檢測并使用流過電感的電流,而不是電壓模式控制方式中使用的三角波(DC-DC-8:...
2023-06-07 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)DC-DC晶體管 2499 0
標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V,就不能使用它們。壓差為幾百個(gè)毫伏的低壓降 (Low Dropout...
2023-06-07 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器運(yùn)算放大器ldo 1017 0
光電耦合器是一種將光信號(hào)和電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的器件。它是由光電二極管和晶體管組成的。光電二極管將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),晶體管將電信號(hào)放大。光電耦合器廣泛應(yīng)用于...
MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/分類/應(yīng)用
MOS管是一種金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,也稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。它是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)中各種電路...
負(fù)反饋放大電路的計(jì)算及設(shè)計(jì)
一般的放大電路,增益達(dá)到40-60dB就很不錯(cuò)了。但是考慮到電路的穩(wěn)定性,采用一只晶體管放大電路的增益一般希望在20dB,若要獲得更高的電壓增益,就需要...
這位叫做 Sam Zeloof 的美國大學(xué)生,最終打造出1200個(gè)晶體管的CPU! 在10微米的多晶硅柵極工藝上實(shí)現(xiàn),命名為Z2。 重點(diǎn)是,與英...
單片機(jī)入門之?dāng)?shù)字電路學(xué)習(xí)
單片機(jī)是一種可編程的數(shù)字電路芯片。數(shù)字電路是單片機(jī)的基礎(chǔ),單片機(jī)是數(shù)字電路的發(fā)展。
2023-06-06 標(biāo)簽:單片機(jī)晶體管開關(guān)二極管 1785 0
在電路中,推挽(Push-Pull)是指使用兩個(gè)輸出器件(例如晶體管或MOSFET)交替地將信號(hào)推到正和負(fù)極性,以便將信號(hào)放大并推到一個(gè)負(fù)載上。
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1381 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 738 0
芯片設(shè)計(jì)過程是一項(xiàng)復(fù)雜的多步驟工作,涉及從初始系統(tǒng)規(guī)格到制造的各個(gè)階段。每一步對于實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)完全可用芯片的目標(biāo)都至關(guān)重要。本文概述了芯片設(shè)計(jì)流程、不同階段...
低功耗技術(shù)(一)動(dòng)態(tài)功耗與靜態(tài)功耗
翻轉(zhuǎn)功耗是由充放電電容引起的動(dòng)態(tài)功耗,其推導(dǎo)過程很簡單,但是這個(gè)最終的結(jié)果卻十分重要。
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