柵極

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柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽(yáng)極和陰極之間的一個(gè)或多個(gè)具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場(chǎng)強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

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柵極技術(shù)

解析MOS管的三個(gè)引腳G、S、D都是什么及含義

G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。

2018-10-16 標(biāo)簽：MOS管柵極源極 11.4萬(wàn) 0

柵極源極漏極怎么區(qū)分

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱(chēng)為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱(chēng)...

2019-06-19 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管電極柵極 8.1萬(wàn) 0

mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有三個(gè)主要電極，分別是柵極（Gate）、漏極（Source）和源極（Drain）。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下

2023-09-18 標(biāo)簽：MOSFET MOS 柵極 3.4萬(wàn) 2

MOS管三個(gè)極的判定

1、三個(gè)極的判定 G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。 S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。 D極(drain)—...

2023-11-26 標(biāo)簽：二極管 MOS管電平 1.9萬(wàn) 1

四極管的作用_四極管的工作原理

四極管種類(lèi)很多，常見(jiàn)的有：束射四極管，直熱四極管和多子四極管等。四極管，有音色渾厚，具有速度感等特點(diǎn)，實(shí)際上純粹意義的四極管只是在電子管的發(fā)展史上作為驗(yàn)...

2019-11-15 標(biāo)簽：電壓柵極 1.7萬(wàn) 0

MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判定方法

　　MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過(guò)改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MO...

2023-02-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 MOS管柵極 1.3萬(wàn) 0

MOS管參數(shù)解讀

極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過(guò)程當(dāng)中，任何情況下都不能超過(guò)下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。

2023-09-24 標(biāo)簽：元器件 MOS管柵極 1.2萬(wàn) 0

NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)介紹

咱們前幾期講的一直是NMOS，導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...

2023-02-16 標(biāo)簽：CMOS 半導(dǎo)體 NMOS 1.1萬(wàn) 0

一文詳解MOS電容器

MOSFET是工業(yè)上應(yīng)用最成功的固態(tài)器件，是構(gòu)成高集成度的基本單元，而MOS電容器是MOSFET的核心，理解該電容器的特性是理解MOSFET工作原理的基...

2023-04-17 標(biāo)簽：電容器 MOSFET MOS 1.1萬(wàn) 0

7種MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路

首先說(shuō)一下電源IC直接驅(qū)動(dòng)，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，在這類(lèi)方式中，我們由于驅(qū)動(dòng)電路未做過(guò)多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時(shí)要盡量進(jìn)行優(yōu)化...

2023-04-28 標(biāo)簽：MOSFET MOS管柵極 9987 0

柵極帖子

請(qǐng)問(wèn)IGBT無(wú)法開(kāi)通，而且柵極加上控制信號(hào)時(shí)發(fā)射極會(huì)有個(gè)3V的電壓是什么原因？

標(biāo)簽：IGBT 發(fā)射極功率器件 9131 1

ADUM4122將VOUT_SRC連接到柵極，可以把VOUT懸空嗎？

標(biāo)簽：柵極 vout 5505 2

怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢

標(biāo)簽：MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電流 3088 1

請(qǐng)問(wèn)怎么為gm vs vg曲線選擇合適的柵極電壓？

標(biāo)簽：電壓柵極 1600 3

簡(jiǎn)單實(shí)用的顯像管復(fù)活儀相關(guān)資料分享

標(biāo)簽：顯像管柵極 1365 0

一個(gè)用于驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)變壓器的簡(jiǎn)單電路

標(biāo)簽：變壓器柵極變壓器 360 0

柵極資料下載

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類(lèi)別：IC中文資料 2009-12-08 標(biāo)簽：柵極 mosfet驅(qū)動(dòng)器 1868 1

國(guó)外著名電子管機(jī)CraftsmenC400與C500電路賞析立即下載

類(lèi)別：音視頻類(lèi) 2021-04-09 標(biāo)簽：柵極功率放大級(jí)電子管 1775 0

分壓式柵極偏置電路PPT立即下載

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MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算立即下載

類(lèi)別：電源技術(shù) 2022-11-11 標(biāo)簽：MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電流 1305 0

高壓浮動(dòng)MOS柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(應(yīng)用手冊(cè))立即下載

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AO3481 30VP通道MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載

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功率驅(qū)動(dòng)器件與柵極驅(qū)動(dòng)接口電路的設(shè)計(jì)技巧解析立即下載

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同步整流與柵極電荷保持驅(qū)動(dòng)介紹立即下載

類(lèi)別：模擬數(shù)字 2011-09-02 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)柵極電荷 743 0

基于CMOS的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器以提高電源供電系統(tǒng)設(shè)計(jì)立即下載

類(lèi)別：電源技術(shù) 2010-06-19 標(biāo)簽：CMOS 驅(qū)動(dòng)柵極 692 0

柵極資訊

柵極源級(jí)漏極分別是什么？模擬電路中柵極源級(jí)漏極的工作原理是什么

源極簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個(gè)高摻雜的...

2017-11-23 標(biāo)簽：柵極漏極源級(jí) 29.1萬(wàn) 0

用萬(wàn)用表去檢測(cè)MOS管好壞的方法

選用管子型號(hào)為IRF640，如上圖所示，一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電（三極管就不需要，之所以需要放電是和他的工作原理有關(guān)，這里就不多說(shuō)了），放電...

2020-04-04 標(biāo)簽：三極管 MOS管柵極 2.5萬(wàn) 0

深入剖析MOS管雪崩、SOA失效及發(fā)熱

本文對(duì)MOS失效原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOSFET的額定電壓，并且超過(guò)...

2021-06-22 標(biāo)簽：MOSFET MOS 柵極 9164 0

MOSFET的電氣特性（靜態(tài)特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）

當(dāng)在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時(shí)產(chǎn)生的漏電流

2022-11-14 標(biāo)簽：電流柵極源極 8066 0

氫閘流管的工作原理_氫閘流管的應(yīng)用電路

氫閘流管的工作過(guò)程是氣體由放電前的隔離高電壓狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉烹姾蟮母邔?dǎo)電狀態(tài)過(guò)程，把脈沖時(shí)間間隔內(nèi)儲(chǔ)存的能量在脈沖瞬間轉(zhuǎn)換成強(qiáng)功率脈沖輸出。

2020-01-16 標(biāo)簽：加速器柵極 7114 0

增強(qiáng)型NMOS管的特性及應(yīng)用電路

此文說(shuō)明：主要以增強(qiáng)型NMOS管的特性來(lái)說(shuō)明,Vds/Uds、Vgs/Ugs意思一樣，其它類(lèi)比。

2023-03-10 標(biāo)簽：應(yīng)用電路柵極穩(wěn)壓管 6871 0

19個(gè)小技巧教你單片機(jī)5V如何轉(zhuǎn)3.3V電平！

方法一：使用LDO穩(wěn)壓器，從5V電源向3.3V系統(tǒng)供電標(biāo)準(zhǔn)三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V 。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使...

2021-04-16 標(biāo)簽：MOSFET 電壓柵極 4086 0

芯片制造即將進(jìn)入原子時(shí)代！

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor）是當(dāng)代計(jì)算機(jī)處理器的核心。自從上世紀(jì)60年代以來(lái)，一塊典型處理器中的晶體管的數(shù)量便以摩爾定...

2021-06-26 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 2960 0

柵極過(guò)壓保護(hù)電路

IGBT的柵極出現(xiàn)過(guò)壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過(guò)壓.

2011-01-29 標(biāo)簽：過(guò)壓保護(hù)柵極 2800 0

三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

目前從全球范圍來(lái)說(shuō)，也就只有臺(tái)積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型（Gate-all-arou...

2021-07-02 標(biāo)簽：IC 三星電子臺(tái)積電 2699 0

柵極數(shù)據(jù)手冊(cè)

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電路過(guò)電流過(guò)電壓保護(hù)是為防止主回路短路或直流牽引電動(dòng)機(jī)發(fā)生環(huán)火造成主回路電流過(guò)大而損壞同步牽引發(fā)電機(jī)、主整流柜等電氣設(shè)備，機(jī)車(chē)在牽引、電阻制動(dòng)或自負(fù)載工況下，對(duì)主電路的過(guò)電流和過(guò)電壓均進(jìn)行保護(hù)。
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過(guò)零檢測(cè)指的是在交流系統(tǒng)中，當(dāng)波形從正半周向負(fù)半周轉(zhuǎn)換時(shí)，經(jīng)過(guò)零位時(shí)，系統(tǒng)作出的檢測(cè)。可作開(kāi)關(guān)電路或者頻率檢測(cè)。漏電開(kāi)關(guān)的漏電檢測(cè)是檢測(cè)零序電流。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過(guò)來(lái)的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬(wàn)伏的高頻電壓。
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VDD

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見(jiàn)Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于云端、邊緣端，再通過(guò)大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物數(shù)據(jù)化、萬(wàn)物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個(gè)智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問(wèn)題。
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功率放大器（英文名稱(chēng)：power amplifier），簡(jiǎn)稱(chēng)“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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