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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)...
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...
LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優(yōu)點，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎，比如高合汽車采用GaN無線充電，而且遠距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。
提供精確測量磁芯損耗的能力對于磁設(shè)計和熱設(shè)計具有重要意義。由于碳化硅和氮化鎵等能夠在越來越高的頻率下運行的新半導體技術(shù)的引入，該主題變得越來越重要。這些...
進入90年代以后，第二代半導體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...
DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分，規(guī)范和測量
多數(shù)電源應用必須減少電磁干擾 （EMI） 以滿足相關(guān)要求，系統(tǒng)設(shè)計人員必須嘗試各種方法來減少傳導和輻射發(fā)射。
2019-08-09 標簽：emiDC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾 2661 0
通過采用電子馬達驅(qū)動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制，此類驅(qū)動器通常會產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅(qū)動器采用...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導...
基于增強型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計
基于增強型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。
2021-01-20 標簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2584 0
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計EPC9173無論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機系統(tǒng)且簡化設(shè)計和加快產(chǎn)品推出市場的時間。我們可以把這...
大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解
近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...
制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 標簽：氮化鎵 2542 0
碳化硅基氮化鎵功率放大器和mMIMO天線在部署5G服務(wù)中的應用
為了能夠滿足這些新應用程序所需必要的網(wǎng)絡(luò)吞吐量和可靠性，則需要運用新的技術(shù)。實現(xiàn)下一層級互聯(lián)互通的部分問題在于，在為同一區(qū)域內(nèi)的一個量級或更多附加用戶設(shè)...
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技術(shù)，該技術(shù)是具有通用輸入的高功率密度AC / DC轉(zhuǎn)換器（電源）的解決方案。除了將高...
驗證電源半橋拓撲是否正確交叉導通的常用方法是使用兩個探針同時驗證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時間。
2021-01-08 標簽：開關(guān)電源晶體管氮化鎵 2486 0
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通...
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設(shè)計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標簽：SiC氮化鎵電子開關(guān) 2449 1
隨著半導體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導體和第二代砷化鎵等半導體，第三代半導體具有高擊穿電場、高熱導率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC和G...
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