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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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眾所周知，氮化鎵功率器件為電力電子系統提高頻率運行，實現高功率密度和高效率帶來可能。然而，在高頻下需要對EMI性能進行評估以滿足EMC法規（例如EN55...
氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...
SiC的導熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優點結合在一起。導熱率是指熱量從半導體結傳遞到外部環境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C...
氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化...
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，由于其優良的電學性能，廣泛應用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯...
近幾十年來，電力電子設備發展迅速，主要是由于半導體開關速度越來越快，這使得設計更小的電力存儲組件（如電容器和電感）成為可能。結合更高的效率，這可以實現更...
盡管基于硅的MEMS諧振器實現了高的時間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩定。
相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關鍵的區別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術，其采用了氮化鎵半導體材料來提供電源。相比之下，普通充電器...
GaN是一種無機物質，其化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來常用于發光二極管的直接帶隙半導體。該化合物在結構上類似于金雞石，具有高硬...
OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區別。在本文中，我將詳細講解這兩種充電器的區別，包括技術原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術原...
高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，...
氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片，它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和...
氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優...
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優勢也推動...
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關頻率電機控制應用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅動+氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，...
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術指標？什么是氮化鎵技術指標體系？ 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導體材料，因為其禁帶寬度大于2.2eV，又被稱為寬禁帶半導體材料。它是微波功率晶體管的優良材料，也是藍色光發光器...
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