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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產品組合，納微半導體以雙擎驅動的姿態在電力電子能源轉換領域高歌前進。
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氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導率 等優異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關。只...
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氮化鎵技術是誰突破的技術 作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件，氮化鎵應用范圍非常廣泛，氮化鎵在數據中心，新能源汽車等領域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...
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以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體即寬帶隙半導體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優異性能，滿足了節能減排等國家重大戰略需求，智...
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