幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質外延的難處

GaN半導體產業鏈各環節為：襯底→GaN材料外延→器件設計→器件制造。其中，襯底是整個產業鏈的基礎。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

2023-08-10 標簽：led功率器件氮化鎵 1774 0

GaN HEMT器件結構解析

硅材料的功率半導體器件已被廣泛應用于大功率開關中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標簽：集成電路氮化鎵功率半導體 1760 0

ROHM借助更合適的同步整流技術滿足市場需求

如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會流過體二極管，從而導致MOSFET過熱。

2021-05-18 標簽：MOSFET氮化鎵同步整流 1750 0

p型氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻

大多數iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個缺點，包括產生離子致損...

2023-03-22 標簽：晶體氮化鎵蝕刻 1742 0

工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？

作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...

2023-06-07 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1741 0

PI氮化鎵的質量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導率和非常好的物理、化學穩定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標簽：氮化鎵半導體芯片GaN技術 1661 0

氮化鎵（GaN）寬帶隙技術的電源應用設計

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術的時機已經成熟。傳統硅MOSFET和IGBT的性能現在接近材料的...

2023-10-25 標簽：寬帶氮化鎵GaN 1655 0

用GaN重新考慮功率密度

電力電子世界在1959年取得突破，當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發明了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。...

2017-06-08 標簽：mosfetpfc氮化鎵 1650 0

氮化鎵和Sslicon在各種性能指標上的比較

硅制造技術已經足夠成熟，可以大規模生產直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...

2021-05-26 標簽：微處理器晶體管氮化鎵 1639 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優勢。GaN還是高能效...

2021-04-04 標簽：ledSiC氮化鎵 1636 0

為何及如何將氮化鎵場效應晶體管用于高效、高電壓、開關模式電源應用

作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對社會和監管要求，電源效率一直是電子系統的優先事項。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通...

2024-02-13 標簽：電源電子遷移氮化鎵 1626 0

淺談碳化硅流程的核心技術

一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延...

2023-06-03 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1623 0

電子元件失效分析

電子元件是電子設備和系統產品的最基本組成部分，其性能和可靠性對電子設備和系統的安全可靠運行至關重要。

2023-09-15 標簽：靜電放電氮化鎵紅外光譜儀 1620 0